Capacitori MOS a elettrodo metallico sub-micron autoallineati HACC106S30V330 330pF 30V Dispersion Free Chip

Condensatore MOS a metallo superiore autoallineato sub-micrometrico HACC106S30V330 330pF 30V

Riepilogo: L'HACC106S30V330 è un condensatore MOS monostrato da 330 pF ±10%, 30 V DC con un elettrodo metallico superiore autoallineato sub-micrometrico e una risposta RF priva di dispersione. È destinato a circuiti compatti a onde millimetriche che richiedono una geometria fine dell'elettrodo e un valore di capacità stabile.

Panoramica

L'HACC106S30V330 è costruito su un substrato di silicio float-zone (superiore a 1000 Ω·cm) con un dielettrico SiO₂ termico da 300 nm. L'elettrodo superiore è definito da un processo di lift-off autoallineato che produce una geometria metallica sub-micrometrica, consentendo un passo dei pad più piccolo e una minore capacità parassita per connessione. Il chip misura 0,40 × 0,40 × 0,15 mm con metallizzazione superiore in oro minima di 2,5 µm. Il componente è un condensatore MOS monostrato a livello di chip (un condensatore saldabile) per assemblaggi ibridi e chip-and-wire, noto anche come chip condensatore monostrato (SLC).

Caratteristiche principali

• Metallo superiore autoallineato sub-micrometrico per passo dei pad fine e bassa capacità parassita.
• Risposta priva di dispersione con capacità entro ±1% da 100 Hz a 40 GHz.
• Chip compatto da 0,40 × 0,40 × 0,15 mm.
• 330 pF ±10% (disponibile 5%) a 30 V DC senza riduzione della tensione DC.
• ESL intrinseca inferiore a 0,05 nH; Q > 2000 a 1 MHz.
• Conforme a ISO 9001:2015 e RoHS, metallizzazione in oro saldabile.
• Valori di capacità personalizzati disponibili sulla stessa piattaforma di chip.

Specifiche elettriche (T = 25°C se non diversamente specificato)

Applicazioni tipiche

• Moduli front-end a onde millimetriche con passo dei pad fine
• Blocco DC a banda larga e adattamento di impedenza
• Filtri e accoppiatori RF compatti
• Elementi di beamformer a schiera a fase
• Microcircuiti ibridi ad alta densità