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ディープレベル・トラップ消極化MOSコンデンサ HACC102S30V470 470pF 30VゼロC-Vヒステレシス SLC

Name: ディープレベル・トラップ 消極化MOSコンデンサ HACC102S30V470 470pF 30VゼロC-Vヒステレシス SLC
Brand: HongAn Microwave Co., Ltd.
SKU: HACC102S30V470
Price: 交渉可能 USD
Availability: InStock

ブランド名:	Hoan
モデル番号:	HACC102S30V470
MOQ:	10個
支払い条件:	L/C、D/A、D/P、T/T

詳細情報

製品の説明

詳細情報

起源の場所:

陝西省、中国

証明:

ISO 9001:2015, RoHS

チップ寸法:

0.50×0.50×0.15mm

上部のメタライゼーション:

Au、2.5um以上

裏面メタライゼーション:

Au、1.0um以上

動作温度:

-55℃～+125℃

RoHS:

EU 2015/863準拠

ESDクラス:

クラス0 (HBM)

取付タイプ:

ワイヤーボンディング可能/共晶ダイアタッチ可能

ハイライト:

ディープレベルトラップパッシベーションMOSキャパシタ

470pF 30V MOSキャパシタ

ゼロC-VヒステリシスSLCキャパシタ

製品の説明

ディープレベルトラップパッシベーションMOSキャパシタ HACC102S30V470 470pF 30V

概要: HACC102S30V470は、ディープレベルトラップパッシベーションされたSi/SiO_熱酸化SiOインターフェースを持つ、470pF ±10%、30V DCの単層MOSキャパシタです。インターフェーストラップ密度、C-Vヒステリシス、長期的な電荷トラッピングが安定性に影響を与えるRFマッチング、フィルタリング、および高精度アナログ回路向けです。

概要

HACC102S30V470は、浮遊ゾーンシリコン基板（1000Ω・cm以上）上に、300nmの熱酸化SiO_熱酸化SiO誘電体と水素/フォーミングガスパッシベーションアニールを用いて構築されています。チップサイズは0.50×0.50×0.15mmで、最小2.5μmの金トップメタライゼーションを備えています。ワイヤボンディングと共晶ダイアタッチに対応しています。

主な特徴

ディープレベルトラップパッシベーション: D_itは通常5×10¹⁰ cm^-2 eV^-1未満です。
ゼロC-Vヒステリシス: アップ/ダウンスイープ間で10mV未満。
電荷トラップ排除: 低誘電体吸収、DCバイアスによる劣化なし。
470pF ±10% (30V DC)、ほぼ線形のTCCは+35ppm/℃です。
単層構造、固有ESLは0.05nH未満。
ISO 9001:2015およびRoHS準拠、ワイヤボンディング可能な金メタライゼーション。
同じ0.50mmプラットフォームでカスタム容量値も利用可能です。

電気仕様 (T = 25℃、特に記載がない場合)

パラメータ	値	テスト条件
容量	470pF ±10%	1MHz、1.0Vrms
容量許容差オプション	±10% (K)、±5% (J)	-55℃～+125℃
定格DC電圧	30V	連続動作
絶縁破壊電圧	100V DC以上	1分間、25℃
インターフェーストラップ密度 (D_it)	5×10¹⁰ cm^-2 eV^-1	未満
パッシベーション後典型値	C-Vヒステリシス	10mV未満
アップ/ダウンバイアススイープ	DCバイアス係数	10ppm/V未満
0-30V	TCC	動作温度
-55℃～+125℃	1MHzでのQファクタ	>2000
典型値	漏れ電流	10nA未満
30V DC、25℃	誘電体_熱酸化SiO2	、300nm
パッシベーションされたインターフェース	チップ寸法	0.50×0.50×0.15mm
±0.025mm	動作温度	-55℃～+125℃

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主な用途
高精度RFインピーダンスマッチングおよびフィルターネットワーク
アナログおよびミックスドシグナルフロントエンドにおける安定したDCブロッキング
ヒステリシスフリーチューニングを必要とするVCOおよび基準回路
サンプル＆ホールドおよび高精度積分器ステージ

ディープレベル・トラップ消極化MOSコンデンサ HACC102S30V470 470pF 30VゼロC-Vヒステレシス SLC

札:

コニカルインダクタ

広帯域インダクタ

空気中心誘導器

エアコイルインダクタ

MOSキャパシタ