HongAn Microwave Co., Ltd.
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| 브랜드 이름: | Hoan |
| 모델 번호: | HACC102S30V470 |
| MOQ: | 10개 |
| 지불 조건: | L/C,D/A,D/P,T/T |
요약: HACC102S30V470는 470 pF ±10%, 30 V DC 단일 레이어 MOS 커패시터로, 딥 레벨 트랩 패시베이션된 Si/SiO열 산화 실리콘 (SiO 인터페이스를 갖추고 있습니다. 인터페이스 트랩 밀도, C-V 히스테리시스 및 장기 전하 트래핑이 안정성에 영향을 미치는 RF 매칭, 필터링 및 정밀 아날로그 회로에 사용됩니다.
HACC102S30V470는 플로트 존 실리콘 기판(1000 Ω·cm 이상)에 300nm 두께의 열 산화 실리콘(SiO열 산화 실리콘 (SiO) 유전체와 수소/포밍 가스 패시베이션 어닐링으로 제작되었습니다. 칩 크기는 0.50 × 0.50 × 0.15mm이며, 최소 2.5μm의 금 상부 금속화가 적용됩니다. 와이어 본딩 및 공융 다이 접착을 지원합니다.
| 매개변수 | 값 | 테스트 조건 |
|---|---|---|
| 커패시턴스 | 470 pF ±10% | 1 MHz, 1.0 Vrms |
| 커패시턴스 허용 오차 옵션 | ±10% (K), ±5% (J) | -55°C ~ +125°C |
| 정격 DC 전압 | 30 V | 연속 작동 |
| 유전체 강도 | 100 V DC 이상 | 1분, 25°C |
| 인터페이스 트랩 밀도 (Dit) | 5 × 1010 cm-2 eV-1 | 미만 |
| 패시베이션 후 일반값 | C-V 히스테리시스 | 10 mV 미만 |
| 업/다운 바이어스 스윕 | DC 바이어스 계수 | 10 ppm/V 미만 |
| 0-30 V | TCC | 작동 온도 |
| -55°C ~ +125°C | 1 MHz에서의 Q 팩터 | >2000 |
| 일반값 | 누설 전류 | 10 nA 미만 |
| 30 V DC, 25°C | 유전체열 산화 실리콘 (SiO2 | ), 300 nm |
| 패시베이션된 인터페이스 | 칩 치수 | 0.50 × 0.50 × 0.15 mm |
| ±0.025 mm | 작동 온도 | -55°C ~ +125°C |
