Các tụ điện MOS thụ động bẫy sâu HACC102S30V470 470pF 30V Zero C-V Hysteresis SLC

Chất tụ MOS thụ động bẫy sâu HACC102S30V470 470pF 30V

Tóm lại:HACC102S30V470 là một 470 pF ± 10%, 30 V DC MOS đơn lớp tụ với một bẫy sâu cấp độ thụ động Si / SiO₂Nó được thiết kế cho các mạch tương thích RF, lọc và mạch tương tự chính xác, nơi mật độ bẫy giao diện, hysteresis C-V và bẫy điện tích lâu dài ảnh hưởng đến sự ổn định.

Tổng quan

HACC102S30V470 được xây dựng trên nền silicon vùng nổi (trên 1000 Ω · cm) với nhiệt SiO 300 nm₂chip có kích thước 0,50 × 0,50 × 0,15 mm với kim loại hóa vàng tối thiểu 2,5 μm. Nó hỗ trợ liên kết dây và gắn die eutectic.

Các đặc điểm chính

• Chất thụ động bẫy ở mức độ sâu: D_nóthường dưới 5 × 10¹⁰cm^-2eV^-1.
• Zero C-V hysteresis: dưới 10 mV giữa lên và xuống quét.
• Loại bỏ bẫy sạc: hấp thụ điện bao phủ thấp và không có giảm độ thiên vị DC.
• 470 pF ± 10% ở 30 V DC với TCC gần như tuyến tính +35 ppm/°C.
• Xây dựng một lớp với ESL nội tại dưới 0,05 nH.
• ISO 9001: 2015 và tuân thủ RoHS, kim loại hóa vàng có thể liên kết dây.
• Giá trị điện dung tùy chỉnh có sẵn trên cùng một nền tảng 0,50 mm.

Thông số kỹ thuật điện (T = 25°C trừ khi có ghi chú)

Các ứng dụng điển hình

• Mạng tương thích và lọc nhiễu RF chính xác
• Chặn DC ổn định ở đầu tiên của tín hiệu tương tự và hỗn hợp
• VCO và các mạch tham chiếu đòi hỏi điều chỉnh không hysteresis
• Các giai đoạn lấy mẫu và giữ và tích hợp chính xác
• Các tập hợp công nghiệp và thiết bị đo lường độ tin cậy cao