Kondensatory MOS z pasywacją pułapki głębokiego poziomu HACC102S30V470 470pF 30V Zerowa histereza C-V SLC

Kondensator MOS z pasywacją pułapek głębokiego poziomu HACC102S30V470 470pF 30V

Podsumowanie: HACC102S30V470 to jednowarstwowy kondensator MOS o pojemności 470 pF ±10%, 30 V DC z pasywacją pułapek głębokiego poziomu na styku Si/SiO₂. Jest przeznaczony do dopasowania impedancji RF, filtrowania i precyzyjnych obwodów analogowych, gdzie gęstość pułapek na styku, histereza C-V i długoterminowe gromadzenie ładunku wpływają na stabilność.

Przegląd

HACC102S30V470 jest zbudowany na podłożu krzemowym typu float-zone (powyżej 1000 Ω·cm) z dielektrykiem termicznym SiO₂ o grubości 300 nm i wyżarzaniem pasywacyjnym w atmosferze wodoru / gazu formującego. Chip ma wymiary 0,50 × 0,50 × 0,15 mm z minimalną metalizacją górną złotą o grubości 2,5 µm. Obsługuje spawanie drutem i lutowanie eutektyczne.

Kluczowe cechy

• Pasywacja pułapek głębokiego poziomu: D_it zazwyczaj poniżej 5 × 10¹⁰ cm^-2 eV^-1.
• Zerowa histereza C-V: poniżej 10 mV między przebiegami w górę i w dół.
• Eliminacja pułapek ładunku: niskie pochłanianie dielektryczne i brak obniżenia parametrów pod wpływem napięcia stałego.
• 470 pF ±10% przy 30 V DC z prawie liniowym TCC wynoszącym +35 ppm/°C.
• Jednowarstwowa konstrukcja z wewnętrznym ESL poniżej 0,05 nH.
• Zgodność z ISO 9001:2015 i RoHS, metalizacja złota umożliwiająca spawanie drutem.
• Dostępne niestandardowe wartości pojemności na tej samej platformie 0,50 mm.

Specyfikacje elektryczne (T = 25°C, chyba że zaznaczono inaczej)

Typowe zastosowania

• Precyzyjne dopasowanie impedancji RF i sieci filtrów
• Stabilne blokowanie DC w analogowych i mieszanych układach front-end
• Obwody VCO i referencyjne wymagające strojenia bez histerezy
• Stopnie próbkowania i podtrzymania oraz precyzyjne integratory
• Wysokiej niezawodności zespoły przemysłowe i pomiarowe