Capacitori MOS passivati a trappola a livello profondo HACC102S30V470 470pF 30V Zero istesi C-V SLC

Condensatore MOS passivato a trappola a livello profondo HACC102S30V470 470pF 30V

Riassunto:Il condensatore MOS HACC102S30V470 è un condensatore MOS mono strato a 30 V DC a 470 pF ± 10%, con trappola a livello profondo passivata a Si/SiO₂è destinato a circuiti analoghi di accoppiamento RF, filtraggio e precisione in cui la densità di trappola dell'interfaccia, l'isteresi C-V e la cattura di carica a lungo termine influenzano la stabilità.

Visualizzazione

L'HACC102S30V470 è costruito su un substrato di silicio a zona galleggiante (superiore a 1000 Ω·cm) con un SiO termico di 300 nm₂Il chip misura 0,50 × 0,50 × 0,15 mm con metallizzazione minima in oro di 2,5 μm. Supporta il legame del filo e l'attacco eutectico.

Caratteristiche chiave

• Passivazione a livello profondo: D_{- Sì.}tipicamente inferiore a 5 × 10¹⁰cm^-2eV^-1.
• Isteresi C-V zero: sotto i 10 mV tra gli scarichi su e giù.
• Eliminazione delle trappole di carica: basso assorbimento dielettrico e assenza di distorsione della corrente continua.
• 470 pF ± 10% a 30 V DC con un TCC quasi lineare di +35 ppm/°C.
• Costruttura monolivello con ESL intrinseca inferiore a 0,05 nH.
• ISO 9001:2015 e RoHS conforme, metallizzazione dell'oro da filo.
• Valori di capacità personalizzati disponibili sulla stessa piattaforma da 0,50 mm.

Specifiche elettriche (T = 25°C, salvo indicazione)

Applicazioni tipiche

• Reti di accoppiamento e filtraggio di impedenza RF di precisione
• Blocco costante della corrente continua nelle estremità anteriori analoghe e a segnale misto
• VCO e circuiti di riferimento che richiedono una regolazione senza isteresi
• Fasi di campionamento e di mantenimento e di integrazione di precisione
• Assemblaggi industriali e di strumentazione di alta affidabilità