Deep Level Trap gepassiveerde MOS condensatoren HACC102S30V470 470pF 30V Nul C-V hysteresis SLC

Deep Level Trap gepassiveerde MOS condensator HACC102S30V470 470pF 30V

SamenvattingDe HACC102S30V470 is een 470 pF ±10%, 30 V gelijkstroom enkellagige MOS-capacitor met een passieve Si/SiO-trap op diep niveau₂Het is bestemd voor RF-matching, filtering en precisienanalogische schakelingen waarbij de dichtheid van de interfaceplek, C-V hysteresis en langdurige ladingsvangst de stabiliteit beïnvloeden.

Overzicht

De HACC102S30V470 is gebouwd op een siliciumsubstraat met drijvende zone (boven 1000 Ω·cm) met een thermische SiO van 300 nm₂De chip meet 0,50 × 0,50 × 0,15 mm met 2,5 μm minimale goudtopmetallisatie.

Belangrijkste kenmerken

• D. Gezonde passiefstelling: D._Hetmeestal minder dan 5 × 10¹⁰cm^-2eV^-1.
• Nul C-V hysteresis: onder de 10 mV tussen op- en afspoelen.
• Eliminatie van ladingsval: lage dielektrische absorptie en geen gelijkstroomverschillen.
• 470 pF ± 10% bij 30 V gelijkstroom met een bijna lineaire TCC van +35 ppm/°C.
• Eenvoudige constructie met intrinsieke ESL onder 0,05 nH.
• ISO 9001:2015 en RoHS-conform, metalen goud met draadbinding.
• Op hetzelfde 0,50 mm-platform beschikbare aangepaste capaciteitswaarden.

Elektrische specificaties (T = 25°C, tenzij vermeld)

Typische toepassingen

• Precise RF-impedancematching- en filternetwerken
• Stabiel gelijkstroomblokkeren in analoge en gemengde signalen
• VCO- en referentiecircuits waarvoor hysteresiefrij afstemmen vereist is
• Proef-en-houd- en precisie-integratorfasen
• Industriële en instrumentatieassemblages met een hoge betrouwbaarheid