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डीप लेवल ट्रैप पैसिवेटेड एमओएस कैपेसिटर एचएसीसी102एस30वी470 470पीएफ 30वी शून्य सी-वी हाइस्टेरेसिस एसएलसी

Name: डीप लेवल ट्रैप पैसिवेटेड एमओएस कैपेसिटर एचएसीसी102एस30वी470 470पीएफ 30वी शून्य सी-वी हाइस्टेरेसिस एसएलसी
Brand: HongAn Microwave Co., Ltd.
SKU: HACC102S30V470
Price: बातचीत योग्य USD
Availability: InStock

ब्रांड का नाम:	Hoan
मॉडल नंबर:	HACC102S30V470
MOQ:	10 टुकड़े
भुगतान की शर्तें:	एल/सी,डी/ए,डी/पी,टी/टी

विस्तृत जानकारी

उत्पाद का वर्णन

विस्तृत जानकारी

उत्पत्ति के प्लेस:

शानक्सी, चीन

प्रमाणन:

ISO 9001:2015, RoHS

चिप आयाम:

0.50 x 0.50 x 0.15 मिमी

शीर्ष धातुकरण:

एयू, 2.5 उम मिनट

पीछे की ओर धातुकरण:

एयू, 1.0 उम मिनट

परिचालन तापमान:

-55°C से +125°C

RoHS:

ईयू 2015/863 के अनुरूप

ईएसडी क्लास:

कक्षा 0 (एचबीएम)

माउन्टिंग का प्रकार:

वायर बॉन्डेबल / यूटेक्टिक डाई अटैच

प्रमुखता देना:

डीप लेवल ट्रैप पैसिवेशन MOS कैपेसिटर

470pF 30V MOS कैपेसिटर

जीरो C-V हिस्टैरिसीस SLC कैपेसिटर

उत्पाद का वर्णन

डीप लेवल ट्रैप पैसिवेशन MOS कैपेसिटर HACC102S30V470 470pF 30V

सारांश: HACC102S30V470 एक 470 pF ±10%, 30 V DC सिंगल-लेयर MOS कैपेसिटर है जिसमें डीप-लेवल ट्रैप पैसिवेशन Si/SiO_{थर्मल SiO} इंटरफ़ेस है। यह RF मैचिंग, फ़िल्टरिंग और प्रिसिजन एनालॉग सर्किट के लिए अभिप्रेत है जहाँ इंटरफ़ेस ट्रैप घनत्व, C-V हिस्टैरिसीस और लॉन्ग-टर्म चार्ज ट्रैपिंग स्थिरता को प्रभावित करते हैं।

अवलोकन

HACC102S30V470 एक फ्लोट-ज़ोन सिलिकॉन सब्सट्रेट (1000 Ω·cm से ऊपर) पर 300 nm थर्मल SiO_{थर्मल SiO} डाइइलेक्ट्रिक और एक हाइड्रोजन / फॉर्मिंग-गैस पैसिवेशन एनील के साथ बनाया गया है। चिप का माप 0.50 × 0.50 × 0.15 mm है जिसमें 2.5 µm न्यूनतम गोल्ड टॉप मेटलाइजेशन है। यह वायर बॉन्डिंग और यूटेक्टिक डाई अटैच का समर्थन करता है।

मुख्य विशेषताएं

डीप-लेवल ट्रैप पैसिवेशन: D_it आमतौर पर 5 × 10¹⁰ cm^-2 eV^-1 से नीचे।
शून्य C-V हिस्टैरिसीस: ऊपर और नीचे स्वीप के बीच 10 mV से कम।
चार्ज ट्रैप उन्मूलन: कम डाइइलेक्ट्रिक अवशोषण और कोई DC बायस डेरेटिंग नहीं।
470 pF ±10% 30 V DC पर लगभग-रैखिक TCC के साथ +35 ppm/°C।
सिंगल-लेयर कंस्ट्रक्शन जिसमें आंतरिक ESL 0.05 nH से कम है।
ISO 9001:2015 और RoHS कंप्लायंट, वायर बॉन्डेबल गोल्ड मेटलाइजेशन।
कस्टम कैपेसिटेंस मान समान 0.50 mm प्लेटफॉर्म पर उपलब्ध हैं।

इलेक्ट्रिकल स्पेसिफिकेशन्स (T = 25°C जब तक कि अन्यथा नोट न किया गया हो)

पैरामीटर	मान	टेस्ट कंडीशन
कैपेसिटेंस	470 pF ±10%	1 MHz, 1.0 Vrms
कैपेसिटेंस टॉलरेंस विकल्प	±10% (K), ±5% (J)	-55°C से +125°C
रेटेड DC वोल्टेज	30 V	निरंतर संचालन
डाइइलेक्ट्रिक स्ट्रेंथ	100 V DC से ऊपर	1 मिनट, 25°C
इंटरफ़ेस ट्रैप घनत्व (D_it)	5 × 10¹⁰ cm^-2 eV^-1	से नीचे
पैसिवेशन के बाद विशिष्ट	C-V हिस्टैरिसीस	10 mV से नीचे
ऊपर/नीचे बायस स्वीप	DC बायस कोएफ़िशिएंट	10 ppm/V से नीचे
0-30 V	TCC	ऑपरेटिंग तापमान
-55°C से +125°C	Q फैक्टर 1 MHz पर	>2000
विशिष्ट	लीकेज करंट	10 nA से नीचे
30 V DC, 25°C	डाइइलेक्ट्रिक_{थर्मल SiO}2	, 300 nm
पैसिवेशन इंटरफ़ेस	चिप आयाम	0.50 × 0.50 × 0.15 mm
±0.025 mm	ऑपरेटिंग तापमान	-55°C से +125°C

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विशिष्ट अनुप्रयोग
प्रिसिजन RF इम्पीडेंस मैचिंग और फ़िल्टर नेटवर्क
एनालॉग और मिक्स्ड-सिग्नल फ्रंट एंड में स्थिर DC ब्लॉकिंग
VCO और संदर्भ सर्किट जिन्हें हिस्टैरिसीस-मुक्त ट्यूनिंग की आवश्यकता होती है
सैंपल-एंड-होल्ड और प्रिसिजन इंटीग्रेटर स्टेज

डीप लेवल ट्रैप पैसिवेटेड एमओएस कैपेसिटर एचएसीसी102एस30वी470 470पीएफ 30वी शून्य सी-वी हाइस्टेरेसिस एसएलसी

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