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Capacitores MOS Passivados de Armadilha de Nível Profundo HACC102S30V470 470pF 30V Histerese C-V Zero SLC

Name: Capacitores MOS Passivados de Armadilha de Nível Profundo HACC102S30V470 470pF 30V Histerese C-V Zero SLC
Brand: HongAn Microwave Co., Ltd.
SKU: HACC102S30V470
Price: Negociável USD
Availability: InStock

Marca:	Hoan
Número do modelo:	HACC102S30V470
Quantidade mínima:	10 peças
Condições de pagamento:	L/C,D/A,D/P,T/T

Informações pormenorizadas

Descrição do produto

Informações pormenorizadas

Lugar de origem:

Shanxi, China

Certificação:

ISO 9001:2015, RoHS

Dimensões do chip:

0,50x0,50x0,15mm

Metalização Superior:

Au, 2,5 um min

Metalização traseira:

Au, 1,0 um min

Temperatura operacional:

-55°C a +125°C

RoHS:

Compatível com UE 2015/863

Classe ESD:

Classe 0 (HBM)

Tipo de montagem:

Fixação de matriz eutética/fio ligável

Destacar:

Capacitor MOS passivado de armadilha de nível profundo

Capacitor MOS de 30 V de 470 pF

Capacitor de Histerese C-V Zero SLC

Descrição do produto

Capacitor MOS de Nível Profundo Passivado com Armadilha HACC102S30V470 470pF 30V

Resumo: O HACC102S30V470 é um capacitor MOS de camada única de 470 pF ±10%, 30 V DC com uma interface Si/SiO₂ passivada por armadilha de nível profundo. Ele é destinado para circuitos de RF de casamento, filtragem e analógicos de precisão onde a densidade de armadilhas de interface, histerese C-V e aprisionamento de carga a longo prazo afetam a estabilidade.

Visão Geral

O HACC102S30V470 é construído em um substrato de silício float-zone (acima de 1000 Ω·cm) com um dielétrico térmico de SiO₂ de 300 nm e um recozimento de passivação com hidrogênio / gás de formação. O chip mede 0,50 × 0,50 × 0,15 mm com metalização superior de ouro mínima de 2,5 µm. Ele suporta ligação de fio e montagem de chip eutética.

Principais Características

Passivação de armadilha de nível profundo: D_it tipicamente abaixo de 5 × 10¹⁰ cm^-2 eV^-1.
Histerese C-V zero: abaixo de 10 mV entre varreduras ascendente e descendente.
Eliminação de armadilha de carga: baixa absorção dielétrica e sem degradação por polarização DC.
470 pF ±10% a 30 V DC com um TCC quase linear de +35 ppm/°C.
Construção de camada única com ESL intrínseca abaixo de 0,05 nH.
Compatível com ISO 9001:2015 e RoHS, metalização de ouro soldável.
Valores de capacitância personalizados disponíveis na mesma plataforma de 0,50 mm.

Especificações Elétricas (T = 25°C, a menos que observado)

Parâmetro	Valor	Condição de Teste
Capacitância	470 pF ±10%	1 MHz, 1,0 Vrms
Opções de Tolerância de Capacitância	±10% (K), ±5% (J)	—
Tensão DC Nominal	30 V	Operação contínua
Rigidez Dielétrica	Acima de 100 V DC	1 minuto, 25°C
Densidade de Armadilha de Interface (D_it)	Abaixo de 5 × 10¹⁰ cm^-2 eV^-1	Típico após passivação
Histerese C-V	Abaixo de 10 mV	Varredura de polarização ascendente/descendente
Coeficiente de Polarização DC	Abaixo de 10 ppm/V	0-30 V
TCC	+35 ppm/°C	-55°C a +125°C
Fator Q a 1 MHz	>2000	Típico
Corrente de Vazamento	Abaixo de 10 nA	30 V DC, 25°C
Dielétrico	SiO₂ Térmico, 300 nm	Interface Passivada
Dimensões do Chip	0,50 × 0,50 × 0,15 mm	±0,025 mm
Temperatura de Operação	-55°C a +125°C	—

Aplicações Típicas

Redes de casamento de impedância e filtros de RF de precisão
Bloqueio DC estável em front-ends analógicos e de sinal misto
Circuitos VCO e de referência que exigem sintonia sem histerese
Estágios de sample-and-hold e integradores de precisão
Conjuntos industriais e de instrumentação de alta confiabilidade

Capacitores MOS Passivados de Armadilha de Nível Profundo HACC102S30V470 470pF 30V Histerese C-V Zero SLC

Etiquetas:

Indutor Cônico

Indutores de banda larga

Indutor do núcleo do ar

Indutor de bobina de ar

Capacitores MOS