Βαθιά επιπέδου παγίδα παθητικοποιημένοι MOS συμπιεστές HACC102S30V470 470pF 30V μηδενική υστερέση C-V SLC

Πυκνού Επιπέδου Παγίδας Παθητικοποιημένος Πυκνωτής MOS HACC102S30V470 470pF 30V

Σύνοψη: Ο HACC102S30V470 είναι ένας μονοστρωματικός πυκνωτής MOS 470 pF ±10%, 30 V DC με διεπαφή Si/SiO₂ παθητικοποιημένη με παγίδες πυκνού επιπέδου. Προορίζεται για κυκλώματα αντιστοίχισης RF, φιλτραρίσματος και ακριβείας αναλογικών κυκλωμάτων όπου η πυκνότητα παγίδων διεπαφής, η υστέρηση C-V και η μακροχρόνια παγίδευση φορτίου επηρεάζουν τη σταθερότητα.

Επισκόπηση

Ο HACC102S30V470 είναι κατασκευασμένος σε υπόστρωμα πυριτίου float-zone (πάνω από 1000 Ω·cm) με διηλεκτρικό SiO₂ θερμικής επεξεργασίας 300 nm και ανόπτηση παθητικοποίησης με υδρογόνο / σχηματιστικό αέριο. Το τσιπ έχει διαστάσεις 0,50 × 0,50 × 0,15 mm με χρυσή μεταλλοποίηση κορυφής ελάχιστου 2,5 μm. Υποστηρίζει συγκόλληση με σύρμα και ευτηκτική προσάρτηση τσιπ.

Βασικά Χαρακτηριστικά

• Παθητικοποίηση παγίδων πυκνού επιπέδου: D_it τυπικά κάτω από 5 × 10¹⁰ cm^-2 eV^-1.
• Μηδενική υστέρηση C-V: κάτω από 10 mV μεταξύ άνω και κάτω σαρώσεων.
• Εξάλειψη παγίδων φορτίου: χαμηλή διηλεκτρική απορρόφηση και καμία μείωση τάσης DC.
• 470 pF ±10% στα 30 V DC με σχεδόν γραμμικό TCC +35 ppm/°C.
• Μονοστρωματική κατασκευή με εγγενές ESL κάτω από 0,05 nH.
• Συμβατό με ISO 9001:2015 και RoHS, χρυσή μεταλλοποίηση για συγκόλληση με σύρμα.
• Διαθέσιμες προσαρμοσμένες τιμές χωρητικότητας στην ίδια πλατφόρμα 0,50 mm.

Ηλεκτρικές Προδιαγραφές (T = 25°C εκτός αν σημειώνεται)

Τυπικές Εφαρμογές

• Κυκλώματα αντιστοίχισης σύνθετης αντίστασης και φίλτρων ακριβείας RF
• Σταθερά μπλοκαρίσματα DC σε αναλογικά και μικτά μπροστινά άκρα
• Κυκλώματα VCO και αναφοράς που απαιτούν ρύθμιση χωρίς υστέρηση
• Στάδια δειγματοληψίας-διατήρησης και ολοκληρωτών ακριβείας
• Συναρμολογήσεις βιομηχανικού και οργανολογικού εξοπλισμού υψηλής αξιοπιστίας