Derin Seviye Tuzak Pasifleştirilmiş MOS Kondansatörleri HACC102S30V470 470pF 30V SLC

Derin Seviye Tuzak Pasifleştirilmiş MOS Kondansatörü HACC102S30V470 470pF 30V

Özet:HACC102S30V470, 470 pF ± 10%, 30 V DC tek katmanlı MOS kondansatörüdür ve derin seviye kapalı pasifleştirilmiş Si/SiO₂RF eşleştirme, filtreleme ve hassaslık analog devreler için tasarlanmıştır, bu da arayüz tuzağı yoğunluğunun, C-V histerezisinin ve uzun süreli yük tuzağının istikrarını etkiler.

Genel bakış

HACC102S30V470, 300 nm termal SiO ile yüzen bölge silikon substratı (1000 Ω · cm'den fazla) üzerinde inşa edilmiştir.₂Dielektrik ve bir hidrojen / şekillendirme gazı pasifleştirme iğnesi. Çip, 2.5 μm minimum altın üst metalizasyonu ile 0.50 × 0.50 × 0.15 mm ölçer. Tel bağlamasını ve eutektik ölçekleme yapısını destekler.

Temel Özellikler

• Derin seviyede tuzak pasifikasyonu: D_{- Evet.}Tipik olarak 5 × 10'dan daha az¹⁰cm^-2eV^-1.
• Sıfır C-V histerezi: yukarı ve aşağı süpürmeler arasında 10 mV'nin altında.
• Şarj tuzaklarının ortadan kaldırılması: düşük dielektrik emilim ve DC yanılımı yok.
• 470 pF ±10% 30 V DC'de ve neredeyse doğrusal TCC +35 ppm/°C.
• Tek katmanlı yapı, içsel ESL 0,05 nH'nin altında.
• ISO 9001:2015 ve RoHS uyumlu, tel bağlanabilir altın metallemesi.
• Aynı 0,50 mm platformda mevcut özel kapasitans değerleri.

Elektriksel özellikler (T = 25°C, belirtilmediği sürece)

Tipik Uygulamalar

• Hassas RF impedans eşleştirme ve filtre ağları
• Analog ve karışık sinyalli ön uçlarda sabit DC engelleme
• VCO ve histerezissiz ayarlama gerektiren referans devreleri
• Örnekleme ve tutma ve hassaslık entegratörü aşamaları
• Yüksek güvenilirlik endüstriyel ve enstrümantasyon kümeleri