Deep Level Trap Passivated MOS Capacitors HACC102S30V470 470pF 30V Zero C-V Hysteresis SLC

Deep Level Trap Passivated MOS Capacitor HACC102S30V470 470pF 30V

Ringkasan:HACC102S30V470 adalah 470 pF ± 10%, 30 V DC single-layer MOS kondensator dengan deep level trap pasivated Si/SiO₂Hal ini dimaksudkan untuk RF pencocokan, penyaringan dan presisi analog sirkuit di mana kepadatan perangkap antarmuka, C-V histeresis dan jangka panjang charge trapping mempengaruhi stabilitas.

Gambaran umum

HACC102S30V470 dibangun pada substrat silikon zona terapung (di atas 1000 Ω · cm) dengan SiO termal 300 nm₂chip berukuran 0,50 × 0,50 × 0,15 mm dengan 2,5 μm minimum emas atas metalisasi.

Fitur Utama

• Passifikasi perangkap tingkat dalam: D_itubiasanya kurang dari 5 × 10¹⁰cm^-2eV^-1.
• Histeresis C-V nol: di bawah 10 mV antara menyapu ke atas dan ke bawah.
• Penghapusan perangkap muatan: penyerapan dielektrik rendah dan tidak ada bias DC derating.
• 470 pF ± 10% pada 30 V DC dengan TCC hampir linier +35 ppm/°C.
• Konstruksi berlapis tunggal dengan ESL intrinsik di bawah 0,05 nH.
• ISO 9001:2015 dan RoHS sesuai, logam emas kawat bondable.
• Nilai kapasitansi khusus tersedia pada platform 0,50 mm yang sama.

Spesifikasi listrik (T = 25°C kecuali dinyatakan)

Aplikasi Tipikal

• Jaringan pencocokan dan filter impedansi RF presisi
• Blokir DC stabil di ujung depan sinyal analog dan campuran
• VCO dan sirkuit referensi yang membutuhkan penyesuaian bebas histeresis
• Tahap sampel dan tahan dan tahap integrator presisi
• Rangkaian industri dan instrumen keandalan tinggi