مكثفات MOS المسلبة HACC102S30V470 470pF

مكثف MOS ذو مستوى عميق من المصيدة ومُخمل HACC102S30V470 470pF 30V

ملخص:HACC102S30V470 هو مكثف MOS أحادي الطبقة بسعة 470 بيكوفاراد ±10%، و30 فولت تيار مستمر، مع واجهة Si/SiO₂ مُخملة بمصيدة ذات مستوى عميق. وهو مخصص لمطابقة الترددات الراديوية، والترشيح، والدوائر التناظرية الدقيقة حيث تؤثر كثافة مصيدة الواجهة، وتذبذب C-V، واحتجاز الشحنة طويل الأمد على الاستقرار.

نظرة عامة

تم بناء HACC102S30V470 على ركيزة سيليكون ذات منطقة عائمة (أعلى من 1000 أوم·سم) مع عازل حراري SiO₂ بسماكة 300 نانومتر، ومعالجة بالهيدروجين / غاز التشكيل. يبلغ قياس الشريحة 0.50 × 0.50 × 0.15 مم مع طبقة معدنية علوية من الذهب بحد أدنى 2.5 ميكرومتر. وهو يدعم ربط الأسلاك ولصق الشريحة بالسبائك.

الميزات الرئيسية

• تخميل مصيدة المستوى العميق: D_it عادةً أقل من 5 × 10¹⁰ سم^-2 إلكترون فولت^-1.
• تذبذب C-V صفري: أقل من 10 مللي فولت بين المسح الصاعد والهابط.
• القضاء على مصيدة الشحنة: امتصاص عازل منخفض وعدم انخفاض الجهد المستمر.
• 470 بيكوفاراد ±10% عند 30 فولت تيار مستمر مع معامل درجة حرارة السعة (TCC) شبه خطي +35 جزء في المليون/درجة مئوية.
• بناء أحادي الطبقة مع ESL جوهري أقل من 0.05 نانوهنري.
• متوافق مع ISO 9001:2015 و RoHS، طبقة معدنية ذهبية قابلة لربط الأسلاك.
• قيم سعة مخصصة متاحة على نفس منصة 0.50 مم.

المواصفات الكهربائية (T = 25 درجة مئوية ما لم يُذكر خلاف ذلك)

التطبيقات النموذجية

• شبكات مطابقة المعاوقة والترشيح الدقيقة للترددات الراديوية
• حجب التيار المستمر المستقر في الواجهات الأمامية التناظرية والمختلطة الإشارة
• دوائر المذبذب المتحكم فيه (VCO) والدوائر المرجعية التي تتطلب ضبطًا خاليًا من التذبذب
• مراحل أخذ العينات والاحتفاظ والتكامل الدقيق
• تجميعات صناعية وأدوات قياس عالية الموثوقية