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Tiefgeschaltete Passivierte MOS-Kondensatoren HACC102S30V470 470pF

Name: Tiefgeschaltete Passivierte MOS-Kondensatoren HACC102S30V470 470pF
Brand: HongAn Microwave Co., Ltd.
SKU: HACC102S30V470
Price: Verhandelbar USD
Availability: InStock

Markenname:	Hoan
Modellnummer:	HACC102S30V470
Mindestbestellmenge:	10 Stück
Zahlungsbedingungen:	L/C, D/A, D/P, T/T

Detailinformationen

Produkt-Beschreibung

Detailinformationen

Herkunftsort:

Shaanxi, China

Zertifizierung:

ISO 9001:2015, RoHS

Chipabmessungen:

0,50 x 0,50 x 0,15 mm

Top-Metallisierung:

Au, 2,5 um min

Rückseitenmetallisierung:

Au, 1,0 um min

Betriebstemperatur:

-55°C bis +125°C

RoHS:

Konform mit EU 2015/863

ESD-Klasse:

Klasse 0 (HBM)

Montageart:

Drahtbondbare/eutektische Die-Befestigung

Hervorheben:

Passivierter MOS-Kondensator mit Tiefenfalleingang

470pF 30V MOS-Kondensator

Null-C-V-Hysterese-Kondensator

Produkt-Beschreibung

Tiefgeschalteter Passivierter MOS-Kondensator HACC102S30V470 470pF 30V

Zusammenfassung:Der HACC102S30V470 ist ein 470 pF ±10%, 30 V Gleichstrom-Einfachschicht-MOS-Kondensator mit einer tiefgehaltenen passivierten Si/SiO-Falle₂Es ist für HF-Matching, Filterung und präzise analoge Schaltkreise bestimmt, bei denen die Dichte der Schnittstellenfalle, die C-V-Hysteresis und die langfristige Ladungssperrung die Stabilität beeinträchtigen.

Übersicht

Der HACC102S30V470 ist auf einem Float-Zone-Silizium-Substrat (über 1000 Ω·cm) mit einer 300 nm thermischen SiO gebaut₂Der Chip misst 0,50 × 0,50 × 0,15 mm mit einer Mindestmetallisierung von 2,5 μm mit Gold. Er unterstützt Drahtbindung und eutextisches Anbringen.

Wesentliche Merkmale

Passivierung in der Tiefe: D_{Das ist}üblicherweise unter 5 × 10¹⁰cm^-2eV^{- Nein.}.
Null C-V-Hysteresis: unter 10 mV zwischen den Auf- und Abwärtsschlägen.
Entfernung von Ladungssperren: geringe dielektrische Absorption und keine Gleichstromverzerrung.
470 pF ± 10% bei 30 V Gleichstrom mit einem nahezu linearen TCC von +35 ppm/°C.
Einlagekonstruktion mit intrinsischer ESL unter 0,05 nH.
ISO 9001:2015 und RoHS-konforme, drahtgebundene Goldmetallisierung.
Auf derselben 0,50 mm-Plattform verfügbare benutzerdefinierte Kapazitätwerte.

Elektrische Spezifikationen (T = 25°C, sofern nicht angegeben)

Parameter	Wert	Prüfungszustand
Kapazität	470 pF ± 10%	1 MHz, 1,0 Vrms
Kapazität Toleranzoptionen	±10% (K), ±5% (J)	- Ich weiß.
Nennspannung Gleichspannung	30 V	Dauerbetrieb
Dielektrische Festigkeit	Mehr als 100 V Gleichstrom	1 Minute, 25°C
Interface-Fallendichte (D)_{Das ist})	Unter 5 × 10¹⁰cm^-2eV^{- Nein.}	Typisch nach der Passivierung
C-V-Hysterese	Unter 10 mV	Aufwärts-Abwärts-Vorurteilswäsche
DC-Bias-Koeffizient	Unter 10 ppm/V	0-30 V
TCC	+35 ppm/°C	-55°C bis +125°C
Q-Faktor bei 1 MHz	> 2000	Typisch
Leckstrom	Unter 10 nA	30 V Gleichstrom, 25°C
Dielektrische	Wärme SiO₂, 300 nm	Passivierte Schnittstelle
Chipgrößen	00,50 × 0,50 × 0,15 mm	±0,025 mm
Betriebstemperatur	-55°C bis +125°C	- Ich weiß.

Typische Anwendungen

Präzisions-HF-Impedanz-Matching- und Filternetze
Stabile Gleichstromblockade in analogen und gemischten Signalvorrichtungen
VCO- und Referenzkreisläufe, die eine hysteresefreie Abstimmung erfordern
Probe- und Halte- und Präzisionsintegratorstufen
Industrie- und Instrumenteinheiten mit hoher Zuverlässigkeit

Tiefgeschaltete Passivierte MOS-Kondensatoren HACC102S30V470 470pF

Umbauten:

Konischer Induktor

Breitband-Induktoren

Luft-Kern-Induktor

Luftspulen-Induktor

MOS Kondensatoren