Condensadores MOS de nivel profundo con trampa pasivada HACC102S30V470 470pF 30V Histéresis C-V cero SLC

Condensador MOS Pasivado de Trampa de Nivel Profundo HACC102S30V470 470pF 30V

Resumen: El HACC102S30V470 es un condensador MOS de una sola capa de 470 pF ±10%, 30 V CC con una interfaz Si/SiO₂ pasivada de trampa de nivel profundo. Está destinado a circuitos de RF de adaptación, filtrado y analógicos de precisión donde la densidad de trampas de interfaz, la histéresis C-V y el atrapamiento de carga a largo plazo afectan la estabilidad.

Visión general

El HACC102S30V470 está construido sobre un sustrato de silicio de zona flotante (superior a 1000 Ω·cm) con un dieléctrico de SiO₂ térmico de 300 nm y un recocido de pasivación con hidrógeno / gas de formación. El chip mide 0.50 × 0.50 × 0.15 mm con metalización superior de oro mínima de 2.5 µm. Soporta unión por cable y montaje de troquel eutéctico.

Características clave

• Pasivación de trampa de nivel profundo: D_it típicamente por debajo de 5 × 10¹⁰ cm^-2 eV^-1.
• Histéresis C-V cero: por debajo de 10 mV entre barridos ascendente y descendente.
• Eliminación de trampas de carga: baja absorción dieléctrica y sin reducción por polarización de CC.
• 470 pF ±10% a 30 V CC con un TCC casi lineal de +35 ppm/°C.
• Construcción de una sola capa con ESL intrínseca por debajo de 0.05 nH.
• Cumple con ISO 9001:2015 y RoHS, metalización de oro soldable por cable.
• Valores de capacitancia personalizados disponibles en la misma plataforma de 0.50 mm.

Especificaciones eléctricas (T = 25°C a menos que se indique lo contrario)

Aplicaciones típicas

• Redes de filtros y adaptación de impedancia de RF de precisión
• Bloqueo de CC estable en front-ends analógicos y de señal mixta
• Circuitos VCO y de referencia que requieren sintonización sin histéresis
• Etapas de sample-and-hold e integradores de precisión
• Ensamblajes industriales e de instrumentación de alta fiabilidad