Подробная информация о продукции

Дом Продукты

Глубокий уровень ловушки пассивированные MOS конденсаторы HACC102S30V470 470pF 30V нулевой C-V гистереза SLC

Название бренда:	Hoan
Номер модели:	ХАКК102С30В470
минимальный заказ:	10 шт.
Условия оплаты:	Л/К, Д/А, Д/П, Т/Т

Детальная информация

Характер продукции

Детальная информация

Место происхождения:

Шэньси, Китай

Сертификация:

ISO 9001:2015, RoHS

Размеры чипа:

0,50 х 0,50 х 0,15 мм

Топ Металлизация:

Au, 2,5 мкм мин.

Задняя металлизация:

Au, 1,0 мкм мин.

Рабочая температура:

от -55°С до +125°С

РоХС:

Соответствует ЕС 2015/863

Класс ЭСР:

Класс 0 (ХБМ)

Тип монтажа:

Крепление проволочной/эвтектической матрицы

Выделить:

Пассивированный конденсатор MOS с глубоким уровнем ловушки

Конденсатор MOS 470pF 30V

Конденсатор с нулевым C-V гистерезом

Характер продукции

Глубинный пассивированный конденсатор MOS HACC102S30V470 470pF 30V

Резюме:HACC102S30V470 представляет собой 470 pF ± 10%, 30 V DC однослойный MOS конденсатор с глубоким уровнем ловушки пассивированный Si/SiO₂Предназначен для радиочастотного сопоставления, фильтрации и точных аналоговых схем, где плотность интерфейсной ловушки, C-V гистереза и долгосрочное ловление заряда влияют на стабильность.

Обзор

HACC102S30V470 построен на плавучей зоне кремниевого субстрата (выше 1000 Ω·cm) с тепловым SiO 300 нм₂Диэлектрический и водород / формирующий-газовый пассивационный отжигатель. Чип имеет размеры 0,50 × 0,50 × 0,15 мм с минимальной металлизацией золотой вершины 2,5 мкм. Он поддерживает связывание проводов и эвтектическое прикрепление.

Ключевые особенности

Пассивация ловушки на глубоком уровне:_этообычно менее 5 × 10¹⁰см^-2eV^-1.
Нулевой C-V гистерез: ниже 10 мВ между подъемом и спусканием.
Устранение ловушек заряда: низкая диэлектрическая абсорбция и отсутствие деформации пристрастия постоянного тока.
470 pF ± 10% при 30 В постоянном напряжении с почти линейным TCC +35 ppm/°C.
Однослойная конструкция с внутренней ESL ниже 0,05 nH.
ISO 9001:2015 и RoHS соответствующие, металлизация золота с проволокой.
Установленные значения емкости на той же платформе 0,50 мм.

Электрические характеристики (T = 25°C, если не указано)

Параметр	Стоимость	Условия испытания
Пропускная способность	470 pF ±10%	1 МГц, 1,0 ВРМ
Варианты допустимости емкости	±10% (K), ±5% (J)	—
Номинальное постоянное напряжение	30 В	Непрерывная работа
Диэлектрическая прочность	Выше 100 В постоянного тока	1 минута, 25°C
Плотность ловушки интерфейса (D)_это)	Ниже 5 × 10¹⁰см^-2eV^-1	Типично после пассивации
С-В гистереза	Ниже 10 мВ	Проверка предвзятости вверх/вниз
Коэффициент предвзятости постоянного тока	Ниже 10 ppm/V	0-30 В
ТЦК	+35 ppm/°C	-55°C до +125°C
Q-фактор при 1 МГц	>2000	Типичный
Ток утечки	Ниже 10 нА	30 В постоянного тока, 25°С
Диэлектрический	Тепловая SiO₂, 300 нм	Пассивированный интерфейс
Размеры микросхем	00,50 × 0,50 × 0,15 мм	± 0,025 мм
Операционная температура	-55°C до +125°C	—

Типичные применения

Сети точного сопоставления и фильтрации RF-импеданс
Стабильное блокирование постоянного тока в передних концах аналоговых и смешанных сигналов
VCO и справочные схемы, требующие настройки без гистерезы
Стадии отбора и хранения проб и интегратора точности
Высоконадежные промышленные и приборовые комплекты

Глубокий уровень ловушки пассивированные MOS конденсаторы HACC102S30V470 470pF 30V нулевой C-V гистереза SLC

Бирки:

Надежные МОП-конденсаторы с высоким напряжением пробоя, ультраминиатюрные, с низкими утечками, 50 В, с возможностью проволочного монтажа SLC

Получите самую лучшую цену

Конический индуктор

Индукторы широкополосного доступа

Индуктор ядра воздуха

Индуктор воздушной катушки

Конденсаторы MOS