جزئیات محصولات

خونه محصولات

هکسیتورهای MOS غیرفعال HACC102S30V470 470pF

Name: هکسیتورهای MOS غیرفعال HACC102S30V470 470pF
Brand: HongAn Microwave Co., Ltd.
SKU: HACC102S30V470
Price: قابل مذاکره USD
Availability: InStock

نام تجاری:	Hoan
شماره مدل:	HACC102S30V470
MOQ:	10 عدد
شرایط پرداخت:	L/C، D/A، D/P، T/T

اطلاعات جزئیات

توضیحات محصول

اطلاعات جزئیات

محل منبع:

شانشی، چین

گواهی:

ISO 9001:2015, RoHS

ابعاد تراشه:

0.50 x 0.50 x 0.15 میلی متر

تاپ متالیزاسیون:

آئو، 2.5 میلی متر دقیقه

متالیزاسیون پشت:

Au، 1.0 um min

دمای عملیاتی:

-55 درجه سانتی گراد تا +125 درجه سانتی گراد

RoHS:

مطابق با اتحادیه اروپا 2015/863

کلاس ESD:

کلاس 0 (HBM)

نوع نصب:

اتصال سیم قابل اتصال / اتکتیک قالب

برجسته کردن:

خازن ماسفت با لایه غیرفعال کننده تله در سطح عمیق

خازن ماسفت 470 پیکوفاراد 30 ولت

خازن SLC بدون هیسترزیس C-V

توضیحات محصول

خازن MOS با سطح عمیق تله غیرفعال HACC102S30V470 470pF 30V

خلاصه: HACC102S30V470 یک خازن MOS تک لایه 470 پیکوفاراد با تلرانس ±10% و ولتاژ 30 ولت DC با رابط Si/SiO2 غیرفعال شده با تله عمیق است. این قطعه برای تطبیق RF، فیلترینگ و مدارهای آنالوگ دقیق که در آنها چگالی تله رابط، هیسترزیس C-V و به دام افتادن بار طولانی مدت بر پایداری تأثیر می‌گذارد، در نظر گرفته شده است._{دمای عملیاتی}HACC102S30V470 بر روی یک زیرلایه سیلیکونی شناور (بالاتر از 1000 اهم-سانتی‌متر) با دی‌الکتریک SiO2 حرارتی 300 نانومتری و عملیات حرارتی غیرفعال‌سازی با هیدروژن/گاز فرمینگ ساخته شده است. ابعاد تراشه 0.50 × 0.50 × 0.15 میلی‌متر با حداقل فلزکاری طلای رویی 2.5 میکرومتر است. این قطعه از اتصال سیمی و اتصال یوتکتیک تراشه پشتیبانی می‌کند.

ویژگی‌های کلیدی

غیرفعال‌سازی تله سطح عمیق: D_{دمای عملیاتی} معمولاً کمتر از 5 × 10

10

cm_cm eV^-1معمولاً پس از غیرفعال‌سازی^{هیسترزیس C-V}کمتر از 10 میلی‌ولت^{جاروب بایاس بالا/پایین}ساختار تک لایه با ESL ذاتی کمتر از 0.05 نانو هانری.
مطابق با ISO 9001:2015 و RoHS، فلزکاری طلای قابل اتصال سیمی.
مقادیر خازنی سفارشی در همان پلتفرم 0.50 میلی‌متری موجود است.
مشخصات الکتریکی (T = 25°C مگر اینکه خلاف آن ذکر شده باشد)
پارامتر
مقدار
شرایط تست

خازن

470 pF ±10%	1 مگاهرتز، 1.0 ولت RMS	گزینه‌های تلرانس خازن
±10% (K)، ±5% (J)	—	ولتاژ DC نامی
30 ولت	عملکرد پیوسته	مجموعه‌های صنعتی و ابزار دقیق با قابلیت اطمینان بالا
بالاتر از 100 ولت DC	1 دقیقه، 25°C	چگالی تله رابط (D
it	)	کمتر از 5 × 10
10_cm-2	eV^-1معمولاً پس از غیرفعال‌سازی^{هیسترزیس C-V}کمتر از 10 میلی‌ولت^{جاروب بایاس بالا/پایین}	ضریب بایاس DC
کمتر از 10 ppm/V	0-30 ولت	TCC
+35 ppm/°C	-55°C تا +125°C	ضریب Q در 1 مگاهرتز
>2000	معمولاً	مراحل نمونه‌برداری و نگهداری و انتگرال‌گیرهای دقیق
کمتر از 10 نانو آمپر	30 ولت DC، 25°C	دی‌الکتریک
SiO2 حرارتی، 300 نانومتر	رابط غیرفعال شده	ابعاد تراشه
0.50 × 0.50 × 0.15 میلی‌متر	±0.025 میلی‌متر_{دمای عملیاتی}-55°C تا +125°C	—
کاربردهای معمول	شبکه‌های تطبیق امپدانس و فیلتر RF دقیق	بلوک‌کننده‌های DC پایدار در ورودی‌های آنالوگ و سیگنال ترکیبی
مدارهای VCO و مرجع که نیاز به تنظیم بدون هیسترزیس دارند	مراحل نمونه‌برداری و نگهداری و انتگرال‌گیرهای دقیق	مجموعه‌های صنعتی و ابزار دقیق با قابلیت اطمینان بالا

هکسیتورهای MOS غیرفعال HACC102S30V470 470pF

برچسب ها:

سلف مخروطی

محرک های پهن باند

سلف هسته هوا

سلف کویل هوا

هک کننده های MOS