รายละเอียดสินค้า

บ้าน สินค้า

ตัวเก็บประจุ MOS แบบพาสซิเวตระดับลึก HACC102S30V470 470pF 30V Zero C-V Hysteresis SLC

Name: ตัวเก็บประจุ MOS แบบพาสซิเวตระดับลึก HACC102S30V470 470pF 30V Zero C-V Hysteresis SLC
Brand: HongAn Microwave Co., Ltd.
SKU: HACC102S30V470
Price: ต่อรองได้ USD
Availability: InStock

ชื่อแบรนด์:	Hoan
หมายเลขรุ่น:	HACC102S30V470
ขั้นต่ำ:	10 ชิ้น
เงื่อนไขการชำระเงิน:	L/C,D/A,D/P,T/T

ข้อมูลรายละเอียด

คําอธิบายสินค้า

ข้อมูลรายละเอียด

สถานที่กำเนิด:

มณฑลส่านซีประเทศจีน

ได้รับการรับรอง:

ISO 9001:2015, RoHS

ขนาดชิป:

0.50 x 0.50 x 0.15 มม

การทำให้เป็นโลหะด้านบน:

Au, 2.5 หนอ นาที

การทำให้เป็นโลหะด้านหลัง:

Au, 1.0 หนอ นาที

อุณหภูมิในการทำงาน:

-55°ซ ถึง +125°ซ

เป็นไปตามมาตรฐาน RoHS:

สอดคล้องกับสหภาพยุโรป 2015/863

คลาส ESD:

คลาส 0 (HBM)

ประเภทการติดตั้ง:

ลวดยึดติดแบบติดได้ / ยูเทคติก

เน้น:

ตัวเก็บประจุ MOS แบบพาสซิเวตด้วยดีพเลเวลแทรป

ตัวเก็บประจุ MOS 470pF 30V

ตัวเก็บประจุ SLC แบบ Zero C-V Hysteresis

คําอธิบายสินค้า

เครื่องปรับความแรง MOS ที่ปรับความแรง HACC102S30V470 470pF

สรุป:HACC102S30V470 เป็น 470 pF ± 10%, 30 V DC เครื่องประกอบ MOS แบบชั้นเดียว พร้อมกับหลุมจับระดับลึก Si/SiO₂อินเตอร์เฟซ. มันถูกกําหนดสําหรับ RF matching, การกรองและวงจรแบบแอนาล็อกความแม่นยําที่ความหนาแน่นของกรงกรงกั้น, C-V hysteresis และการจับค่าระยะยาวส่งผลต่อความมั่นคง

ภาพรวม

HACC102S30V470 ถูกสร้างขึ้นบนพื้นฐานซิลิคอนโซนลอย (มากกว่า 1000 Ω · cm) ด้วยความร้อน 300 nm SiO₂ชิปมีขนาด 0.50 × 0.50 × 0.15 มิลลิเมตรที่มีการผสมทองคําขั้นต่ํา 2.5 μm. มันรองรับการผูกสายไฟและยูเทคติก die attach

ลักษณะสําคัญ

การลดลมในระดับลึก:_มันปกติต่ํากว่า 5 × 10¹⁰cm^-2eV^-1.
ไฮสเตเรซิส C-V 0: ต่ํากว่า 10 mV ระหว่างการกวาดขึ้นและลง
การกําจัดหลุมไฟ: การดูดซึมไฟฟ้าแบบลดและไม่มีการลดความคัดค้าน DC
470 pF ± 10% ที่ 30 V DC กับ TCC ใกล้เส้นตรงที่ +35 ppm/°C
การสร้างชั้นเดียวที่มี ESL ภายในต่ํากว่า 0.05 nH
ISO 9001:2015 และ RoHS ตรงกัน, โลหะโลหะทองที่สามารถเชื่อมต่อกับสายไฟ
ค่าความจุที่กําหนดเองที่มีอยู่บนแพลตฟอร์ม 0.50 มมเดียวกัน

รายละเอียดไฟฟ้า (T = 25°C เว้นแต่ระบุไว้)

ปริมาตร	มูลค่า	สภาพการทดสอบ
ความจุ	470 pF ± 10%	1 MHz 1.0 Vrms
ตัวเลือกความละเอียดความสามารถ	± 10% (K), ± 5% (J)	รางวัล
ความดันแบบเรียงลําดับ DC	30 วอล	การทํางานต่อเนื่อง
ความแข็งแรงแบบดียิเลคทริก	กว่า 100 V DC	1 นาที 25°C
ความหนาแน่นของ Interface Trap (D)_มัน)	ต่ํากว่า 5 × 10¹⁰cm^-2eV^-1	ปัจจัยปกติหลังการ passivation
ไฮสเตเรซิส C-V	ต่ํากว่า 10 mV	การสกัดความคัดค้านขึ้น/ลง
คออฟเซนต์ความคัดค้าน DC	ต่ํากว่า 10 ppm/V	0-30 V
TCC	+35 ppm/°C	-55°C ถึง +125°C
Q Factor ที่ 1 MHz	>2000	แบบปกติ
กระแสรั่ว	ต่ํากว่า 10 nA	30 V DC 25°C
ไดเอเลคทริก	SiO ความร้อน₂, 300 นม	อินเตอร์เฟซ passivated
ขนาดชิป	0.50 × 0.50 × 0.15 มิลลิเมตร	± 0.025 มม.
อุณหภูมิการทํางาน	-55°C ถึง +125°C	รางวัล

การใช้งานทั่วไป

เครือข่ายจับคู่และกรองอัดอัดอัด RF ความแม่นยํา
การปิด DC ที่มั่นคงในด้านหน้าของสัญญาณแบบแอนาล็อกและสัญญาณผสม
VCO และวงจรอ้างอิงที่ต้องการการปรับที่ไม่มี hysteresis
ขั้นตอนการเก็บตัวอย่างและการเก็บตัวอย่าง และการบูรณาการความแม่นยํา
รวมอุตสาหกรรมและอุปกรณ์ประกอบเครื่องมือความน่าเชื่อถือสูง

ตัวเก็บประจุ MOS แบบพาสซิเวตระดับลึก HACC102S30V470 470pF 30V Zero C-V Hysteresis SLC

แท็ก:

ตัวเหนี่ยวนำทรงกรวย

อินดูเตอร์เบนด์กว้าง

ตัวเหนี่ยวนำแกนอากาศ

ตัวเหนี่ยวนำขดลวดอากาศ

เครื่องปรับความแรง MOS