Condensateurs MOS à grille profonde piégée passivée HACC102S30V470 470pF 30V Hystérésis C-V nulle SLC

Condensateur MOS passivé à piège à niveau profond HACC102S30V470 470pF 30V

Résumé:Le HACC102S30V470 est un condensateur MOS monocouche à 470 pF ± 10%, 30 V CC avec un piège à niveau profond passivé Si/SiO₂Il est destiné aux circuits analogiques de correspondance RF, de filtrage et de précision où la densité de piège d'interface, l'hystérésis C-V et le piégeage de charge à long terme affectent la stabilité.

Résumé

Le HACC102S30V470 est construit sur un substrat de silicium à zone flottante (supérieur à 1000 Ω·cm) avec une température SiO de 300 nm₂La puce mesure 0,50 × 0,50 × 0,15 mm avec une métallisation au sommet d'or minimale de 2,5 μm. Elle prend en charge la liaison des fils et l'attache de matrices eutectiques.

Principales caractéristiques

• Passivation des pièges en profondeur: D_{il est}généralement inférieure à 5 × 10¹⁰en cm^{- Deux.}ÉV^{- Je ne sais pas.}.
• Hystérésis C-V nulle: inférieure à 10 mV entre les balayages vers le haut et vers le bas.
• Élimination des pièges de charge: faible absorption diélectrique et absence de déviation du courant continu.
• 470 pF ± 10% à 30 V CC avec un TCC quasi linéaire de +35 ppm/°C.
• Construction en une seule couche avec ESL intrinsèque inférieure à 0,05 nH.
• Conforme à la norme ISO 9001:2015 et à la norme RoHS, métallisation de l'or par câble.
• Des valeurs de capacité personnalisées sont disponibles sur la même plateforme de 0,50 mm.

Spécifications électriques (T = 25°C, sauf indication contraire)

Applications typiques

• Réseaux de correspondance d'impédance RF de précision et filtres
• Blocage de courant continu stable dans les extrémités avant analogiques et à signal mixte
• Circuits VCO et de référence nécessitant un réglage sans hystérésis
• Étapes d'échantillonnage et de maintien et d'intégration de précision
• Ensembles industriels et d'instruments de haute fiabilité