HongAn Microwave Co., Ltd.
english
français
Deutsch
Italiano
Русский
Español
português
Nederlandse
ελληνικά
日本語
한국
polski
فارسی
বাংলা
ไทย
tiếng Việt
العربية
हिन्दी
Türkçe
indonesia
|
| ブランド名: | Hoan |
| モデル番号: | HPM101S30V100 |
| MOQ: | 10個 |
| 支払い条件: | L/C、D/A、D/P、T/T |
要約:HPM101S30V100は、高抵抗率のフロートゾーンシリコン上に熱酸化SiO2誘電体で構築された、100 pF、30 Vの単層MOSキャパシタです。ビームフォーミングフロントエンドで個々の素子が一定の位相応答を維持できるように、アレイ全体でサブディグリー位相整合が指定されています。グラデーションインピーダンス整合層は、電極インターフェースと周囲の伝送線路間の遷移を滑らかにし、広い帯域幅でその位相整合性を維持します。カスタム容量値と整合層も利用可能です。
| 項目 | 値 |
| ブランド | Hoan |
| モデル | HPM101S30V100 |
| カテゴリ | MOSキャパシタ |
| 容量 | 100 pF ±5% (要求により±2%) |
| 定格DC電圧 | 30 V |
| 誘電体 | 熱酸化SiO2、強誘電体 (300 nm) |
| 位相整合 | サブディグリー、素子間 |
| インピーダンスインターフェース | グラデーションインピーダンス整合層 |
| 使用可能帯域幅 | DC～18 GHz (代表値) |
| 終端 | ワイヤボンディングまたはフリップチップマイクロバンプ |
| チップサイズ | 0.50 x 0.50 x 0.15 mm |
| 動作温度 | -55 °C ～ +125 °C |
| 原産地 | 中国、陝西省 |
| 認証 | ISO 9001:2015, RoHS |
| MOQ | 10個 |
| リードタイム | 在庫品: 5-7営業日、生産品: 3-4週間 |
電極またはインターフェースインピーダンスの急激な変化は、信号の一部を反射し、周波数依存の位相傾斜を追加します。HPM101S30V100は、誘電体インターフェースと電極の間に形成された段差遷移であるグラデーションインピーダンス整合層を使用し、この変化を単一のステップではなく、複数の中間インピーダンスレベルに分散させます。その結果、反射が少なく、動作帯域幅全体でより平坦な位相応答を持つ、より滑らかなインピーダンスパスが得られます。
