HongAn Microwave Co., Ltd.
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| ब्रांड का नाम: | Hoan |
| मॉडल नंबर: | एचपीएम101एस30वी100 |
| MOQ: | 10 टुकड़े |
| भुगतान की शर्तें: | एल/सी,डी/ए,डी/पी,टी/टी |
संक्षेप में: HPM101S30V100 एक 100 pF, 30 V सिंगल-लेयर MOS कैपेसिटर है जो हाई-रेसिस्टिविटी फ्लोट-ज़ोन सिलिकॉन पर थर्मल रूप से विकसित SiO2 डाइइलेक्ट्रिक के साथ बनाया गया है। इसे एक ऐरे में सब-डिग्री फेज मैचिंग के लिए निर्दिष्ट किया गया है, ताकि बीमफॉर्मिंग फ्रंट-एंड में व्यक्तिगत तत्वों की एक सुसंगत फेज प्रतिक्रिया बनी रहे। एक ग्रेडिएंट इम्पीडेंस मैचिंग लेयर इलेक्ट्रोड इंटरफ़ेस और आसपास की ट्रांसमिशन लाइन के बीच संक्रमण को मिश्रित करती है, जो एक विस्तृत बैंड में उस फेज की निरंतरता बनाए रखती है। कस्टम कैपेसिटेंस मान और मैचिंग लेयर उपलब्ध हैं।
| वस्तु | मान |
| ब्रांड | होआन |
| मॉडल | HPM101S30V100 |
| श्रेणी | MOS कैपेसिटर |
| कैपेसिटेंस | 100 pF ±5% (अनुरोध पर ±2%) |
| रेटेड डीसी वोल्टेज | 30 V |
| डाइइलेक्ट्रिक | थर्मल SiO2, पैराइलेक्ट्रिक (300 nm) |
| फेज मैचिंग | सब-डिग्री, एलिमेंट-टू-एलिमेंट |
| इम्पीडेंस इंटरफ़ेस | ग्रेडिएंट इम्पीडेंस मैचिंग लेयर |
| उपयोगी बैंडविड्थ | DC से 18 GHz (विशिष्ट) |
| टर्मिनेशन | वायर बॉन्ड या फ्लिप-चिप माइक्रो-बंप |
| चिप आकार | 0.50 x 0.50 x 0.15 मिमी |
| ऑपरेटिंग तापमान | -55 °C से +125 °C |
| उत्पत्ति का स्थान | शानक्सी, चीन |
| प्रमाणन | ISO 9001:2015, RoHS |
| MOQ | 10 पीस |
| लीड टाइम | स्टॉक के लिए 5-7 कार्य दिवस, उत्पादन के लिए 3-4 सप्ताह |
इलेक्ट्रोड या इंटरफ़ेस इम्पीडेंस में एक अचानक परिवर्तन सिग्नल के एक हिस्से को प्रतिबिंबित करता है और आवृत्ति-निर्भर फेज झुकाव जोड़ता है। HPM101S30V100 एक ग्रेडिएंट इम्पीडेंस मैचिंग लेयर का उपयोग करता है, जो डाइइलेक्ट्रिक इंटरफ़ेस और इलेक्ट्रोड के बीच निर्मित एक स्टेप ट्रांज़िशन है, जो उस परिवर्तन को एक चरण के बजाय कई मध्यवर्ती इम्पीडेंस स्तरों में फैलाता है। इसका परिणाम कम प्रतिबिंब और कार्यशील बैंड में एक सपाट फेज प्रतिक्रिया के साथ एक चिकना इम्पीडेंस पथ है।
