Capacitores MOS de Fase Sub-Grau 100 pF 30V Chip para Módulos de Matriz de Fase de Formação de Feixe

Capacitor MOS de Correspondência de Fase Sub-Grau HPM101S30V100 — 100 pF 30V para Formação de Feixe

Em resumo: O HPM101S30V100 é um capacitor MOS de camada única de 100 pF e 30 V construído em silício float-zone de alta resistividade com um dielétrico de SiO2 crescido termicamente. Ele é especificado para correspondência de fase sub-grau em um arranjo, de modo que elementos individuais mantenham uma resposta de fase consistente em front-ends de formação de feixe. Uma camada de correspondência de impedância gradiente suaviza a transição entre a interface do eletrodo e a linha de transmissão circundante, o que mantém essa consistência de fase em uma banda larga. Valores de capacitância e camadas de correspondência personalizadas estão disponíveis.

Fatos Principais

Camada de Correspondência de Impedância Gradiente

Uma mudança abrupta na impedância do eletrodo ou da interface reflete parte do sinal e adiciona uma inclinação de fase dependente da frequência. O HPM101S30V100 usa uma camada de correspondência de impedância gradiente, uma transição escalonada fabricada entre a interface dielétrica e o eletrodo, que espalha essa mudança por vários níveis de impedância intermediários em vez de um único degrau. O resultado é um caminho de impedância mais suave com menor reflexão e uma resposta de fase mais plana em toda a banda de trabalho.

• Transição de impedância escalonada em vez de um único degrau abrupto
• Menor reflexão e fase mais plana em toda a banda
• Compatível com montagem por ligação de fio e flip-chip (micro-bump)

Aplicações

• Módulos front-end de arranjo em fase e formação de feixe
• Canais de recepção e transmissão de formação de feixe digital
• Placas de antena 5G e 6G
• Arranjos em fase de comunicação via satélite
• Acoplamento de RF de banda larga e bloqueio de DC entre canais
• Front-ends de teste e medição que necessitam de fase correspondente entre portas