HongAn Microwave Co., Ltd.
english
français
Deutsch
Italiano
Русский
Español
português
Nederlandse
ελληνικά
日本語
한국
polski
فارسی
বাংলা
ไทย
tiếng Việt
العربية
हिन्दी
Türkçe
indonesia
|
| Επωνυμία: | Hoan |
| Αριθμός μοντέλου: | HPM101S30V100 |
| MOQ: | 10 τεμάχια |
| Όροι πληρωμής: | L/C,D/A,D/P,T/T |
Με λίγα λόγια: Ο HPM101S30V100 είναι ένας μονοστρωματικός πυκνωτής MOS 100 pF, 30 V, κατασκευασμένος σε πυρίτιο υψηλής ειδικής αντίστασης float-zone με θερμικά αναπτυγμένο διηλεκτρικό SiO2. Έχει προδιαγραφές για υπο-βαθμιαία αντιστοίχιση φάσης σε μια διάταξη, ώστε τα μεμονωμένα στοιχεία να διατηρούν μια σταθερή απόκριση φάσης σε μπροστινά τμήματα διαμόρφωσης δέσμης. Ένα στρώμα αντιστοίχισης σύνθετης αντίστασης κλίσης ομαλοποιεί τη μετάβαση μεταξύ της διεπαφής του ηλεκτροδίου και της περιβάλλουσας γραμμής μεταφοράς, διατηρώντας αυτή τη συνέπεια φάσης σε ένα ευρύ φάσμα. Διατίθενται προσαρμοσμένες τιμές χωρητικότητας και στρώματα αντιστοίχισης.
| Στοιχείο | Τιμή |
| Μάρκα | Hoan |
| Μοντέλο | HPM101S30V100 |
| Κατηγορία | Πυκνωτές MOS |
| Χωρητικότητα | 100 pF ±5% (±2% κατόπιν αιτήματος) |
| Ονομαστική Τάση DC | 30 V |
| Διηλεκτρικό | Θερμικό SiO2, παραηλεκτρικό (300 nm) |
| Αντιστοίχιση Φάσης | Υπο-βαθμιαία, από στοιχείο σε στοιχείο |
| Διεπαφή Σύνθετης Αντίστασης | Στρώμα αντιστοίχισης σύνθετης αντίστασης κλίσης |
| Χρησιμοποιήσιμο Εύρος Ζώνης | DC έως 18 GHz (τυπικό) |
| Τερματισμός | Συγκόλληση σύρματος ή μικρο-συγκόλληση flip-chip |
| Μέγεθος Τσιπ | 0.50 x 0.50 x 0.15 mm |
| Θερμοκρασία Λειτουργίας | -55 °C έως +125 °C |
| Τόπος Προέλευσης | Shaanxi, Κίνα |
| Πιστοποίηση | ISO 9001:2015, RoHS |
| MOQ | 10 τεμάχια |
| Χρόνος Παράδοσης | 5-7 εργάσιμες ημέρες για απόθεμα, 3-4 εβδομάδες για παραγωγή |
Μια απότομη αλλαγή στη σύνθετη αντίσταση του ηλεκτροδίου ή της διεπαφής αντανακλά μέρος του σήματος και προσθέτει μια εξαρτώμενη από τη συχνότητα κλίση φάσης. Ο HPM101S30V100 χρησιμοποιεί ένα στρώμα αντιστοίχισης σύνθετης αντίστασης κλίσης, μια βαθμιδωτή μετάβαση κατασκευασμένη μεταξύ της διηλεκτρικής διεπαφής και του ηλεκτροδίου, που απλώνει αυτή την αλλαγή σε πολλά ενδιάμεσα επίπεδα σύνθετης αντίστασης αντί για ένα βήμα. Το αποτέλεσμα είναι μια ομαλότερη διαδρομή σύνθετης αντίστασης με χαμηλότερη αντανάκλαση και μια πιο επίπεδη απόκριση φάσης σε όλο το εύρος λειτουργίας.
