details van de producten

Created with Pixso. Huis Created with Pixso. Producten Created with Pixso.
MOS-condensatoren
Created with Pixso.

Sub-Degree Fase Matching MOS Condensatoren 100 pF 30V Chip voor Beamforming Phased Array Modules

Sub-Degree Fase Matching MOS Condensatoren 100 pF 30V Chip voor Beamforming Phased Array Modules

Merknaam: Hoan
Modelnummer: HPM101S30V100
MOQ: 10 stuks
Betalingsvoorwaarden: L/C, D/A, D/P, T/T
Gedetailleerde informatie
Plaats van herkomst:
Shaanxi, China
Certificering:
ISO 9001:2015, RoHS
Bedrijfstemperatuur:
-55°C tot +125°C
Vochtgevoeligheid:
MSL 1 (J-STD-020)
RoHS:
Conform (EU 2015/863)
Fase-matchingtolerantie:
Subgraad, van element tot element
Bruikbare bandbreedte:
DC tot 18 GHz (typisch)
Maatwerk:
Aangepaste capaciteit 10 pF-1000 pF, gradiëntaanpassingslaag en matrijsgeometrie
Markeren:

30V MOS-condensator voor beamforming

,

100 pF MOS-condensator chip

,

fase-matching MOS-condensator

Productomschrijving

HPM101S30V100 Sub-Degree Fase-Matching MOS Condensator — 100 pF 30V voor Beamforming


In het kort:De HPM101S30V100 is een 100 pF, 30 V enkellaagse MOS-condensator gebouwd op hoog-resistief float-zone silicium met een thermisch gegroeide SiO2-diëlektricum. Hij is gespecificeerd voor sub-graad fase-matching over een array, zodat individuele elementen een consistente fase-respons behouden in beamforming front-ends. Een gradiënt impedantie-matchinglaag verzacht de overgang tussen de elektrode-interface en de omringende transmissielijn, wat die faseconsistentie over een breed band behoudt. Aangepaste capaciteitswaarden en matchinglagen zijn beschikbaar.


Belangrijkste feiten


Artikel Waarde
Merk Hoan
Model HPM101S30V100
Categorie MOS Condensatoren
Capaciteit 100 pF ±5% (±2% op aanvraag)
Nominale DC-spanning 30 V
Diëlektricum Thermisch SiO2, para-elektrisch (300 nm)
Fase-matching Sub-graad, element-naar-element
Impedantie-interface Gradiënt impedantie-matchinglaag
Bruikbare bandbreedte DC tot 18 GHz (typisch)
Afsluiting Draadbond of flip-chip micro-bump
Chipgrootte 0,50 x 0,50 x 0,15 mm
Bedrijfstemperatuur -55 °C tot +125 °C
Plaats van herkomst Shaanxi, China
Certificering ISO 9001:2015, RoHS
MOQ 10 stuks
Levertijd 5-7 werkdagen voor voorraad, 3-4 weken voor productie


Gradiënt Impedantie-Matchinglaag


Een abrupte verandering in elektrode- of interface-impedantie reflecteert een deel van het signaal en voegt een frequentie-afhankelijke fase-helling toe. De HPM101S30V100 gebruikt een gradiënt impedantie-matchinglaag, een getrapte overgang gefabriceerd tussen de diëlektricum-interface en de elektrode, die die verandering verspreidt over verschillende tussenliggende impedantie-niveaus in plaats van één stap. Het resultaat is een soepeler impedantiepad met lagere reflectie en een vlakker fase-respons over de werkende band.

  • Getrapte impedantie-overgang in plaats van één abrupte stap
  • Lagere reflectie en vlakker fase over de band
  • Compatibel met draadbond en flip-chip (micro-bump) assemblage


Toepassingen


  • Phased-array en beamforming front-end modules
  • Digitale beamforming ontvangst- en zendkanalen
  • 5G en 6G antenne-array tegels
  • Phased arrays voor satellietcommunicatie
  • Bredeband RF-koppeling en DC-blokkering tussen kanalen
  • Test- en meet-front-ends die gematchte fase tussen poorten vereisen


Sub-Degree Fase Matching MOS Condensatoren 100 pF 30V Chip voor Beamforming Phased Array Modules