| Merknaam: | Hoan |
| Modelnummer: | HPM101S30V100 |
| MOQ: | 10 stuks |
| Betalingsvoorwaarden: | L/C, D/A, D/P, T/T |
In het kort:De HPM101S30V100 is een 100 pF, 30 V enkellaagse MOS-condensator gebouwd op hoog-resistief float-zone silicium met een thermisch gegroeide SiO2-diëlektricum. Hij is gespecificeerd voor sub-graad fase-matching over een array, zodat individuele elementen een consistente fase-respons behouden in beamforming front-ends. Een gradiënt impedantie-matchinglaag verzacht de overgang tussen de elektrode-interface en de omringende transmissielijn, wat die faseconsistentie over een breed band behoudt. Aangepaste capaciteitswaarden en matchinglagen zijn beschikbaar.
| Artikel | Waarde |
| Merk | Hoan |
| Model | HPM101S30V100 |
| Categorie | MOS Condensatoren |
| Capaciteit | 100 pF ±5% (±2% op aanvraag) |
| Nominale DC-spanning | 30 V |
| Diëlektricum | Thermisch SiO2, para-elektrisch (300 nm) |
| Fase-matching | Sub-graad, element-naar-element |
| Impedantie-interface | Gradiënt impedantie-matchinglaag |
| Bruikbare bandbreedte | DC tot 18 GHz (typisch) |
| Afsluiting | Draadbond of flip-chip micro-bump |
| Chipgrootte | 0,50 x 0,50 x 0,15 mm |
| Bedrijfstemperatuur | -55 °C tot +125 °C |
| Plaats van herkomst | Shaanxi, China |
| Certificering | ISO 9001:2015, RoHS |
| MOQ | 10 stuks |
| Levertijd | 5-7 werkdagen voor voorraad, 3-4 weken voor productie |
Een abrupte verandering in elektrode- of interface-impedantie reflecteert een deel van het signaal en voegt een frequentie-afhankelijke fase-helling toe. De HPM101S30V100 gebruikt een gradiënt impedantie-matchinglaag, een getrapte overgang gefabriceerd tussen de diëlektricum-interface en de elektrode, die die verandering verspreidt over verschillende tussenliggende impedantie-niveaus in plaats van één stap. Het resultaat is een soepeler impedantiepad met lagere reflectie en een vlakker fase-respons over de werkende band.
![]()