تفاصيل المنتجات

Created with Pixso. المنزل Created with Pixso. منتجات Created with Pixso.
مكثفات MOS
Created with Pixso.

مكثفات MOS مطابقة لمرحلة تحت الدرجة 100 بيكوفاراد 30 فولت شريحة لوحدات مصفوفة الطور لتشكيل الشعاع

مكثفات MOS مطابقة لمرحلة تحت الدرجة 100 بيكوفاراد 30 فولت شريحة لوحدات مصفوفة الطور لتشكيل الشعاع

اسم العلامة التجارية: Hoan
رقم الموديل: HPM101S30V100
موك: 10 قطع
شروط الدفع: خطاب الاعتماد، د/أ، د/ف، تي/تي
معلومات مفصلة
مكان المنشأ:
شنشي، الصين
إصدار الشهادات:
ISO 9001:2015, RoHS
درجة حرارة التشغيل:
-55 درجة مئوية إلى +125 درجة مئوية
مستوى حساسية الرطوبة:
إم إس إل 1 (J-STD-020)
بنفايات:
متوافق (الاتحاد الأوروبي 863/2015)
المرحلة مطابقة التسامح:
الدرجة الفرعية، عنصر إلى عنصر
عرض النطاق الترددي القابل للاستخدام:
تيار مباشر إلى 18 جيجا هرتز (نموذجي)
التخصيص:
سعة مخصصة 10 pF-1000 pF، طبقة مطابقة متدرجة وهندسة القالب
إبراز:

مكثف 30 فولت MOS لتشكيل الشعاع

,

رقاقة مكثف MOS 100 pF

,

مكثف MOS متطابق المراحل

وصف المنتج

HPM101S30V100 مكثف MOS متطابق في المرحلة الفرعية 100 pF 30V للتشكيل


باختصار:إن HPM101S30V100 هو مكثف MOS من 100 pF و 30 V من طبقة واحدة مبني على السيليكون ذو المنطقة العائمة عالية المقاومة مع الديليكتريك SiO2 المزروع حراريًا.يتم تحديدها لمطابقة المراحل تحت الدرجة عبر صف، بحيث تحافظ العناصر الفردية على استجابة مرحلة ثابتة في الطرف الأمامي لتشكيل الشعاع.طبقة مطابقة عائق المنحدر يخلط الانتقال بين واجهة الأقطاب الكهربائية وخط نقل المحيط بها، والذي يحافظ على اتساق هذه المرحلة على نطاق واسع. تتوفر قيم سعة مخصصة ومستويات مطابقة.


الحقائق الرئيسية


البند القيمة
العلامة التجارية هوان
النموذج HPM101S30V100
الفئة مكثفات MOS
السعة 100 pF ± 5 ٪ (± 2 ٪ عند الطلب)
الجهد المشترك المسموح به 30 فولت
الديليكتريك SiO2 الحراري، الكهربائي شبه (300 نانومتر)
تطابق المراحل درجة فرعية، عنصر إلى عنصر
واجهة المعوقة طبقة مطابقة عائق المنحدر
عرض النطاق الترددي القابل للاستخدام DC إلى 18 GHz (نموذجي)
الإنهاء السلك السلكي أو رقاقة الفليب-شيب الميكرو-بومب
حجم الشريحة 0.50 × 0.50 × 0.15 ملم
درجة حرارة العمل -55 °C إلى +125 °C
مكان المنشأ شانشي، الصين
الشهادة إيزو 9001:2015، RoHS
الـ MOQ 10 قطع
وقت التنفيذ 5-7 أيام عمل للمخزون، 3-4 أسابيع للإنتاج


طبقة مطابقة عائق المنحدر


يردد التغيير المفاجئ في معوقة الأقطاب الكهربائية أو الواجهة جزءًا من الإشارة ويضيف ميل مرحلي يعتمد على التردد. يستخدم HPM101S30V100 طبقة مطابقة معوقة منحدر ،عبارة عن عبارة عن عبارة عن عبارة عن عبارة عن عبارة عن عبارة عن عبارة عن حركة، الذي ينشر هذا التغيير عبر عدة مستويات عائق متوسطة بدلاً من خطوة واحدة.النتيجة هي مسار مقاومة أكثر سلاسة مع انعكاس أقل واستجابة مرحلة مسطحة عبر نطاق العمل.

  • انتقال المعوقة المتدفق بدلاً من خطوة مفاجئة واحدة
  • انعكاس أقل ومرحلة مسطحة عبر النطاق
  • متوافق مع مجموعة السلك-الربط والشريحة المنقلبة (ميكرو-بومب)


التطبيقات


  • وحدات الجانب الأمامي المكونة من صفوف مرحلية وتشكيل أشعة
  • قنوات استقبال وإرسال رقمية
  • أسطوانات مجموعة الهوائيات 5G و 6G
  • أجهزة الاتصالات بالقمر الصناعي
  • الارتباط اللاسلكي اللاسلكي واسع النطاق وحجب التيار المباشر بين القنوات
  • اختبار وقياس الجوانب الأمامية التي تحتاج إلى مرحلة متطابقة بين المنافذ


مكثفات MOS مطابقة لمرحلة تحت الدرجة 100 بيكوفاراد 30 فولت شريحة لوحدات مصفوفة الطور لتشكيل الشعاع