Sub-Degree Phase Matching MOS Capacitors 100 pF 30V Chip untuk Beamforming Module

HPM101S30V100 Kapasitor MOS Pencocokan Fase Sub-Derajat — 100 pF 30V untuk Beamforming

Singkatnya: HPM101S30V100 adalah kapasitor MOS lapisan tunggal 100 pF, 30 V yang dibangun di atas silikon float-zone dengan resistivitas tinggi dengan dielektrik SiO2 yang tumbuh secara termal. Kapasitor ini ditentukan untuk pencocokan fase sub-derajat di seluruh larik, sehingga elemen individu mempertahankan respons fase yang konsisten di front-end beamforming. Lapisan pencocokan impedansi gradien memadukan transisi antara antarmuka elektroda dan jalur transmisi di sekitarnya, yang menjaga konsistensi fase tersebut di pita lebar. Nilai kapasitansi dan lapisan pencocokan khusus tersedia.

Fakta Kunci

Lapisan Pencocokan Impedansi Gradien

Perubahan mendadak pada impedansi elektroda atau antarmuka memantulkan sebagian sinyal dan menambahkan kemiringan fase yang bergantung pada frekuensi. HPM101S30V100 menggunakan lapisan pencocokan impedansi gradien, transisi bertingkat yang dibuat di antara antarmuka dielektrik dan elektroda, yang menyebarkan perubahan tersebut di beberapa tingkat impedansi perantara alih-alih satu langkah. Hasilnya adalah jalur impedansi yang lebih halus dengan pantulan yang lebih rendah dan respons fase yang lebih datar di seluruh pita kerja.

• Transisi impedansi bertingkat alih-alih satu langkah mendadak
• Pantulan lebih rendah dan fase lebih datar di seluruh pita
• Kompatibel dengan perakitan ikatan kawat dan flip-chip (micro-bump)

Aplikasi

• Modul front-end phased-array dan beamforming
• Saluran penerima dan pemancar beamforming digital
• Ubin larik antena 5G dan 6G
• Phased array komunikasi satelit
• Kopling RF lebar pita dan pemblokiran DC antar saluran
• Front-end pengujian dan pengukuran yang membutuhkan pencocokan fase antar port