Sub-Degree Faz Eşleşme MOS Kondansatörleri 100 pF 30V Çip Faslı Aray Modüllerini Beamforming için

HPM101S30V100 Alt Derece Faz Eşleştirme MOS Kapasitör — Işın Oluşturma için 100 pF 30V

Kısaca: HPM101S30V100, yüksek özdirençli float-zone silikon üzerine termal olarak büyütülmüş SiO2 dielektrik ile üretilmiş 100 pF, 30 V tek katmanlı bir MOS kapasitördür. Bir dizide alt derece faz eşleştirme için belirtilmiştir, böylece bireysel elemanlar ışın oluşturma ön uçlarında tutarlı bir faz yanıtı sağlar. Bir gradyan empedans eşleştirme katmanı, elektrot arayüzü ile çevredeki iletim hattı arasındaki geçişi yumuşatarak bu faz tutarlılığını geniş bir bant boyunca korur. Özel kapasitans değerleri ve eşleştirme katmanları mevcuttur.

Anahtar Bilgiler

Gradyan Empedans Eşleştirme Katmanı

Elektrot veya arayüz empedansındaki ani bir değişiklik, sinyalin bir kısmını yansıtır ve frekansa bağlı bir faz eğimi ekler. HPM101S30V100, dielektrik arayüzü ile elektrot arasına yerleştirilmiş basamaklı bir geçiş olan bir gradyan empedans eşleştirme katmanı kullanır, bu da bu değişikliği tek bir adım yerine birkaç ara empedans seviyesine yayar. Sonuç, daha düşük yansıma ve çalışma bandı boyunca daha düz bir faz yanıtı ile daha pürüzsüz bir empedans yoludur.

• Tek bir ani adım yerine basamaklı empedans geçişi
• Bant boyunca daha düşük yansıma ve daha düz faz
• Tel bağlama ve flip-chip (mikro-bump) montajı ile uyumlu

Uygulamalar

• Faz dizili ve ışın oluşturma ön uç modülleri
• Dijital ışın oluşturma alıcı ve verici kanalları
• 5G ve 6G anten dizisi karoları
• Uydu iletişimi faz dizileri
• Kanallar arasında geniş bant RF kuplajı ve DC engelleme
• Portlar arasında eşleştirilmiş faz gerektiren test ve ölçüm ön uçları