Einzelheiten zu den Produkten

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MOS Kondensatoren
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MOS-Kondensatoren mit Phase-Matching-Untergrad 100 pF 30V-Chip zur Beamformung von Modulen mit Phasenarray

MOS-Kondensatoren mit Phase-Matching-Untergrad 100 pF 30V-Chip zur Beamformung von Modulen mit Phasenarray

Markenname: Hoan
Modellnummer: HPM101S30V100
Mindestbestellmenge: 10 Stück
Zahlungsbedingungen: L/C, D/A, D/P, T/T
Detailinformationen
Herkunftsort:
Shaanxi, China
Zertifizierung:
ISO 9001:2015, RoHS
Betriebstemperatur:
-55°C bis +125°C
Feuchtigkeitsempfindlichkeit:
MSL 1 (J-STD-020)
RoHS:
Konform (EU 2015/863)
Phasenanpassungstoleranz:
Untergrad, Element-zu-Element
Nutzbare Bandbreite:
DC bis 18 GHz (typisch)
Anpassung:
Benutzerdefinierte Kapazität 10 pF-1000 pF, Gradientenanpassungsschicht und Chip-Geometrie
Hervorheben:

30 V MOS-Kondensator für die Strahlbildung

,

100 pF MOS-Kondensatorchip

,

Phasenübereinstimmungs-MOS-Kondensator

Produkt-Beschreibung

HPM101S30V100 MOS-Kondensator zur Abgleichung von Phasen in Unterstufen ¥ 100 pF 30V zur Strahlformung


Kurz gesagt:Der HPM101S30V100 ist ein 100 pF, 30 V einlagiger MOS-Kondensator, der auf hochwiderstandsfähigem Float-Zone-Silizium mit einem thermisch angebauten SiO2-Dielectric gebaut wurde.Es wird für die Abgleichung von Teilgraden in einem Array angegeben., so daß einzelne Elemente eine konstante Phasenreaktion in den Strahlformungsfrontenden aufrechterhalten.Eine Gradientimpedanz-Matching-Schicht mischt den Übergang zwischen der Elektrodenoberfläche und der umgebenden Übertragungsleitung, was die Phasenkonsistenz über ein breites Band hält.


Die wichtigsten Fakten


Artikel Wert
Marke Hoan
Modell HPM101S30V100
Kategorie MOS Kondensatoren
Kapazität 100 pF ± 5% (± 2% auf Anfrage)
Nennspannung Gleichspannung 30 V
Dielektrische SiO2 thermisch, paraelektrisch (300 nm)
Phasenübereinstimmung Untergrad, von Element zu Element
Impedanz-Schnittstelle Ebenen für die Abgleichung der Schrägungsimpedanz
Verwendbare Bandbreite Gleichstrom bis 18 GHz (typisch)
Kündigung Mikro-Bump mit Drahtbindung oder Flip-Chip
Chipgröße 00,50 x 0,50 x 0,15 mm
Betriebstemperatur -55 °C bis +125 °C
Herkunftsort Shaanxi, China
Zertifizierung ISO 9001:2015, RoHS
MOQ 10 Stück
Vorlaufzeit 5-7 Arbeitstage für Lagerbestände, 3-4 Wochen für die Produktion


Gradientimpedanz-Übereinstimmungsschicht


Eine abrupte Änderung der Elektroden- oder Schnittstellenimpedanz reflektiert einen Teil des Signals und fügt eine frequenzabhängige Phasenneigung hinzu.mit einer Breite von mehr als 20 mm,, die diese Veränderung über mehrere mittlere Impedanzstufen anstelle eines Schrittes verteilt.Das Ergebnis ist ein glatterer Impedanzweg mit geringerer Reflexion und einer flacheren Phasenantwort über das Arbeitsband.

  • Schrittweise Impedanzübergang anstelle eines einzigen abrupten Schrittes
  • Niedrigere Reflexion und flachere Phase über den Band
  • mit einer Leistung von mehr als 50 W und einer Leistung von mehr als 50 W


Anwendungen


  • Module mit Phasenarray und Strahlbildmodulen
  • Digitale Lichtstrahlformkanäle für Empfang und Übertragung
  • 5G- und 6G-Antennenanlagen
  • Satellitenkommunikations-Phaseanlagen
  • Breitband-HF-Kopplung und Gleichstromblockade zwischen Kanälen
  • Versuchs- und Messvorteile, für die eine gleichmäßige Phase zwischen den Anschlüssen erforderlich ist


MOS-Kondensatoren mit Phase-Matching-Untergrad 100 pF 30V-Chip zur Beamformung von Modulen mit Phasenarray