Capacitori MOS con corrispondenza di fase di sotto-grado 100 pF 30V Chip per moduli di fasatura di fascia

HPM101S30V100 Condensatore MOS a Fase Sottogrado — 100 pF 30V per Beamforming

In breve: L'HPM101S30V100 è un condensatore MOS a singolo strato da 100 pF, 30 V, realizzato su silicio float-zone ad alta resistività con un dielettrico SiO2 cresciuto termicamente. È specificato per un disallineamento di fase sottogrado su un array, in modo che i singoli elementi mantengano una risposta di fase coerente nei front-end di beamforming. Uno strato di adattamento di impedenza a gradiente ammorbidisce la transizione tra l'interfaccia dell'elettrodo e la linea di trasmissione circostante, mantenendo tale coerenza di fase su un'ampia banda. Sono disponibili valori di capacità e strati di adattamento personalizzati.

Fatti chiave

Strato di adattamento di impedenza a gradiente

Un brusco cambiamento nell'impedenza dell'elettrodo o dell'interfaccia riflette parte del segnale e aggiunge un'inclinazione di fase dipendente dalla frequenza. L'HPM101S30V100 utilizza uno strato di adattamento di impedenza a gradiente, una transizione a gradini realizzata tra l'interfaccia dielettrica e l'elettrodo, che distribuisce tale cambiamento su diversi livelli di impedenza intermedi invece di un singolo gradino. Il risultato è un percorso di impedenza più fluido con minore riflessione e una risposta di fase più piatta sull'intera banda di lavoro.

• Transizione di impedenza a gradini invece di un singolo gradino brusco
• Minore riflessione e fase più piatta sull'intera banda
• Compatibile con assemblaggio wire-bond e flip-chip (micro-bump)

Applicazioni

• Moduli front-end a phased-array e beamforming
• Canali di ricezione e trasmissione a beamforming digitale
• Piastrelle di array di antenne 5G e 6G
• Array a phased array per comunicazioni satellitari
• Accoppiamento RF a banda larga e blocco DC tra canali
• Front-end di test e misurazione che richiedono una fase adattata tra le porte