HongAn Microwave Co., Ltd.
english
français
Deutsch
Italiano
Русский
Español
português
Nederlandse
ελληνικά
日本語
한국
polski
فارسی
বাংলা
ไทย
tiếng Việt
العربية
हिन्दी
Türkçe
indonesia
|
| Tên thương hiệu: | Hoan |
| Số mô hình: | HPM101S30V100 |
| MOQ: | 10 miếng |
| Điều khoản thanh toán: | L/C,D/A,D/P,T/T |
Nói ngắn gọn: HPM101S30V100 là tụ điện MOS một lớp 100 pF, 30 V được chế tạo trên silicon float-zone có điện trở suất cao với lớp điện môi SiO2 được xử lý nhiệt. Nó được chỉ định để khớp pha dưới độ trên một mảng, để các phần tử riêng lẻ giữ phản ứng pha nhất quán trong các bộ tiền khuếch tạo chùm. Một lớp khớp trở kháng gradient làm mượt sự chuyển tiếp giữa giao diện điện cực và đường truyền xung quanh, giúp duy trì sự nhất quán pha đó trên một băng tần rộng. Có sẵn các giá trị điện dung và lớp khớp tùy chỉnh.
| Mục | Giá trị |
| Thương hiệu | Hoan |
| Mẫu mã | HPM101S30V100 |
| Danh mục | Tụ điện MOS |
| Điện dung | 100 pF ±5% (±2% theo yêu cầu) |
| Điện áp DC định mức | 30 V |
| Lớp điện môi | SiO2 nhiệt, điện môi thuận (300 nm) |
| Khớp pha | Dưới độ, từ phần tử này sang phần tử khác |
| Giao diện trở kháng | Lớp khớp trở kháng gradient |
| Băng thông sử dụng được | DC đến 18 GHz (điển hình) |
| Kết nối | Liên kết dây hoặc vi-bump flip-chip |
| Kích thước chip | 0,50 x 0,50 x 0,15 mm |
| Nhiệt độ hoạt động | -55 °C đến +125 °C |
| Xuất xứ | Thiểm Tây, Trung Quốc |
| Chứng nhận | ISO 9001:2015, RoHS |
| MOQ | 10 chiếc |
| Thời gian giao hàng | 5-7 ngày làm việc cho hàng có sẵn, 3-4 tuần cho sản xuất |
Sự thay đổi đột ngột về trở kháng điện cực hoặc giao diện sẽ phản xạ một phần tín hiệu và tạo ra độ nghiêng pha phụ thuộc vào tần số. HPM101S30V100 sử dụng lớp khớp trở kháng gradient, một sự chuyển tiếp bậc được chế tạo giữa giao diện điện môi và điện cực, trải sự thay đổi đó trên nhiều mức trở kháng trung gian thay vì một bước duy nhất. Kết quả là một đường dẫn trở kháng mượt mà hơn với phản xạ thấp hơn và phản ứng pha phẳng hơn trên băng tần hoạt động.
