szczegółowe informacje o produktach

Created with Pixso. Do domu Created with Pixso. Produkty Created with Pixso.
Kondensatory MOS
Created with Pixso.

Podstopniowe kondensatory MOS z dopasowaniem fazowym 100 pF 30V Chip do formowania modułów fazowego układu wiązania wiązki

Podstopniowe kondensatory MOS z dopasowaniem fazowym 100 pF 30V Chip do formowania modułów fazowego układu wiązania wiązki

Nazwa marki: Hoan
Numer modelu: HPM101S30V100
MOQ: 10 sztuk
Warunki płatności: L/C, D/A, D/P, T/T
Informacje szczegółowe
Miejsce pochodzenia:
Shaanxi, Chiny
Orzecznictwo:
ISO 9001:2015, RoHS
Temperatura pracy:
-55°C do +125°C
Poziom czułości na wilgoć:
MSL 1 (J-STD-020)
RoHS:
Zgodny (UE 2015/863)
Tolerancja dopasowania fazowego:
Podstopień, element po elemencie
Użyteczna przepustowość:
DC do 18 GHz (typowo)
Personalizacja:
Niestandardowa pojemność 10 pF-1000 pF, warstwa dopasowująca gradient i geometria matrycy
Podkreślić:

Kondensator MOS o napięciu 30 V do formowania wiązki

,

Czip kondensatora MOS 100 pF

,

kondensator MOS z dopasowaniem fazowym

Opis produktu

HPM101S30V100 Podstopniowy kondensator MOS do formowania wiązki


Krótko mówiąc:HPM101S30V100 to 100 pF, 30 V jednowarstwowy kondensator MOS zbudowany na wysoko odpornym krzemu pływającym z cieplnie uprawianym dielektrykiem SiO2.Jest on określony dla dopasowywania fazy podstopnia w szeregu, tak aby poszczególne elementy utrzymywały spójną reakcję fazową w przednich końcach formowania wiązki.Warstwa dopasowania impedancji gradientu łączy przejście między interfejsem elektrody a otaczającą linią przesyłową, co utrzymuje spójność fazy w szerokim zakresie.


Kluczowe fakty


Pozycja Wartość
Marka Hoan
Model HPM101S30V100
Kategoria Kondensatory MOS
Pojemność 100 pF ± 5% (± 2% na żądanie)
Narysowane napięcie prądu stałego 30 V
Elektryczne SiO2 termiczny, paraelektryczny (300 nm)
Zastosowanie fazy Podpoziom, element do elementu
Interfejs impedancji Warstwa odpowiadająca impedancji nachylenia
Użyteczna szerokość pasma DC do 18 GHz (typowy)
Zakończenie Włókno o łączności lub mikro-przęgło z flip-chip
Wielkość chipa 00,50 x 0,50 x 0,15 mm
Temperatura pracy -55 °C do +125 °C
Miejsce pochodzenia Shaanxi, Chiny
Certyfikacja ISO 9001:2015RoHS
MOQ 10 sztuk
Czas realizacji 5-7 dni roboczych dla zapasów, 3-4 tygodnie dla produkcji


Warstwa odpowiadająca impedancji gradientu


Nagła zmiana impedancji elektrody lub interfejsu odzwierciedla część sygnału i dodaje częstotliwościowo zależny nachylenie fazy.o pojemności nieprzekraczającej 10 W, który rozprzestrzenia tę zmianę na kilka poziomów impedancji pośrednich zamiast na jeden krok.W rezultacie powstaje gładszą ścieżkę impedancji z mniejszą odbiciem i płaską reakcją fazową w całym zakresie pracy.

  • Stopniowe przejście impedancji zamiast pojedynczego gwałtownego kroku
  • Mniejsza odbicia i płaskiej fazy w całym pasmie
  • Kompatybilny z zestawem z wiązaniem drutowym i zestawem flip-chip (micro-bump)


Wnioski


  • Moduły przednie z układem fazowym i układem tworzącym wiązki
  • Cyfrowe kanały odbierania i przesyłania wiązki
  • Płytki antenowe 5G i 6G
  • Satelityczne urządzenia łączności
  • Połączenie szerokopasmowe RF i blokowanie prądu stałego między kanałami
  • Przednie końce badań i pomiarów wymagające dopasowania fazy między portami


Podstopniowe kondensatory MOS z dopasowaniem fazowym 100 pF 30V Chip do formowania modułów fazowego układu wiązania wiązki