Détails des produits

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Condensateurs MOS
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Condensateurs MOS à déphasage de sous-degré 100 pF 30V puce pour modules de réseau phasé à formation de faisceaux

Condensateurs MOS à déphasage de sous-degré 100 pF 30V puce pour modules de réseau phasé à formation de faisceaux

Nom De La Marque: Hoan
Numéro De Modèle: HPM101S30V100
Quantité Minimale De Commande: 10 pièces
Conditions De Paiement: LC, D/A, D/P, T/T
Informations détaillées
Lieu d'origine:
Shaanxi, Chine
Certification:
ISO 9001:2015, RoHS
Température de fonctionnement:
-55°C à +125°C
Niveau de sensibilité à l'humidité:
MSL1 (J-STD-020)
RoHS:
Conforme (UE 2015/863)
Tolérance de correspondance de phase:
Sous-degré, élément à élément
Bande passante utilisable:
CC à 18 GHz (typique)
Personnalisation:
Capacité personnalisée 10 pF-1 000 pF, couche de correspondance de gradient et géométrie de la matri
Mettre en évidence:

Condensateur MOS de 30 V pour la formation de faisceaux

,

Une puce de condensateur MOS de 100 pF.

,

condensateur MOS à correspondance de phase

Description de produit

HPM101S30V100 Condensateur MOS correspondant aux phases de sous-grades ¥ 100 pF 30V pour le faisceau


En résumé:Le HPM101S30V100 est un condensateur MOS monocouche 100 pF, 30 V construit sur du silicium à zone flottante à haute résistivité avec un diélectrique SiO2 cultivé thermiquement.Il est spécifié pour la correspondance de phase de sous-degré dans un tableau, de sorte que les éléments individuels maintiennent une réponse de phase cohérente dans les extrémités frontales de formation de faisceau.Une couche de correspondance d'impédance de gradient mélange la transition entre l'interface de l'électrode et la ligne de transmission environnanteDes valeurs de capacité personnalisées et des couches correspondantes sont disponibles.


Faits clés


Nom de l'article Valeur
Marque Je vous en prie.
Modèle Le modèle HPM101S30V100
Catégorie Condensateurs MOS
Capacité 100 pF ± 5% (± 2% sur demande)
Voltage nominal en courant continu 30 V
Diélectrique SiO2 thermique, paraélectrique (300 nm)
Matching de phase Sous-grade, élément à élément
Interface d'impédance Couche de correspondance d'impédance de gradient
Largeur de bande utilisable DC à 18 GHz (typique)
Résolution Micro-boucle en fil de fer ou en flip-chip
Taille de la puce 00,50 x 0,50 x 0,15 mm
Température de fonctionnement -55 °C à +125 °C
Lieu d'origine Shaanxi, Chine
Certification La norme ISO 9001 déclare:2015, RoHS
Quantité de produit 10 pièces
Temps de réalisation 5-7 jours ouvrables pour les stocks, 3-4 semaines pour la production


Couche correspondante d'impédance de gradient


Un changement brusque dans l'impédance de l'électrode ou de l'interface reflète une partie du signal et ajoute une inclinaison de phase dépendante de la fréquence.une transition par étapes fabriquée entre l'interface diélectrique et l'électrode, qui répand ce changement sur plusieurs niveaux d'impédance intermédiaires au lieu d'une étape.Le résultat est un chemin d'impédance plus lisse avec une réflexion plus faible et une réponse de phase plus plate à travers la bande de travail.

  • Transition d'impédance par étapes au lieu d'une seule étape abrupte
  • Réflexion inférieure et phase plus plate à travers la bande
  • d'une puissance de sortie supérieure ou égale à 50 W


Applications


  • Modules de front-end à matrice de phases et à faisceau
  • Transmissions et réceptions numériques de faisceaux
  • Pièces pour les antennes 5G et 6G
  • Dispositifs de communication par satellite
  • Accouplement RF haut débit et blocage en courant continu entre canaux
  • Les fronts d'essai et de mesure nécessitant une phase correspondante entre les ports


Condensateurs MOS à déphasage de sous-degré 100 pF 30V puce pour modules de réseau phasé à formation de faisceaux