Detalles de los productos

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Condensadores MOS
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Capacitores MOS de correspondencia de fase de subgrado 100 pF 30V Chip para módulos de matriz de fase de formación de haces

Capacitores MOS de correspondencia de fase de subgrado 100 pF 30V Chip para módulos de matriz de fase de formación de haces

Nombre De La Marca: Hoan
Número De Modelo: HPM101S30V100
Cantidad Mínima De Pedido: 10 piezas
Condiciones De Pago: LC, D/A, D/P, T/T
Información detallada
Lugar de origen:
Shaanxi, China
Certificación:
ISO 9001:2015, RoHS
Temperatura de funcionamiento:
-55°C a +125°C
Nivel de sensibilidad a la humedad:
MSL 1 (J-STD-020)
RoHS:
Cumple (UE 2015/863)
Tolerancia de coincidencia de fases:
Subgrado, elemento a elemento
Ancho de banda utilizable:
CC a 18 GHz (típico)
Personalización:
Capacitancia personalizada de 10 pF-1000 pF, capa de adaptación de gradiente y geometría de troquel
Resaltar:

Capacitor MOS de 30V para conformación de haz

,

Chip de capacitor MOS de 100 pF

,

Capacitor MOS de coincidencia de fase

Descripción de producto

HPM101S30V100 Capacitor MOS de Fase Sub-Grado — 100 pF 30V para Formación de Haces


En resumen: El HPM101S30V100 es un capacitor MOS de una sola capa de 100 pF y 30 V construido sobre silicio de zona flotante de alta resistividad con un dieléctrico de SiO2 crecido térmicamente. Está especificado para coincidencia de fase sub-grado a través de un arreglo, de modo que los elementos individuales mantengan una respuesta de fase consistente en los front-ends de formación de haces. Una capa de coincidencia de impedancia gradual suaviza la transición entre la interfaz del electrodo y la línea de transmisión circundante, lo que mantiene esa consistencia de fase en una banda ancha. Hay disponibles valores de capacitancia y capas de coincidencia personalizadas.


Datos Clave


Artículo Valor
Marca Hoan
Modelo HPM101S30V100
Categoría Capacitores MOS
Capacitancia 100 pF ±5% (±2% bajo pedido)
Voltaje DC Nominal 30 V
Dieléctrico SiO2 Térmico, প্যারaeléctrico (300 nm)
Coincidencia de Fase Sub-grado, elemento a elemento
Interfaz de Impedancia Capa de coincidencia de impedancia gradual
Ancho de Banda Utilizable DC a 18 GHz (típico)
Terminación Cable de unión o micro-bump de chip invertido
Tamaño del Chip 0.50 x 0.50 x 0.15 mm
Temperatura de Operación -55 °C a +125 °C
Lugar de Origen Shaanxi, China
Certificación ISO 9001:2015, RoHS
MOQ 10 piezas
Tiempo de Entrega 5-7 días hábiles para stock, 3-4 semanas para producción


Capa de Coincidencia de Impedancia Gradual


Un cambio abrupto en la impedancia del electrodo o la interfaz refleja parte de la señal y agrega una inclinación de fase dependiente de la frecuencia. El HPM101S30V100 utiliza una capa de coincidencia de impedancia gradual, una transición escalonada fabricada entre la interfaz dieléctrica y el electrodo, que extiende ese cambio a través de varios niveles de impedancia intermedios en lugar de un solo escalón. El resultado es una ruta de impedancia más suave con menor reflexión y una respuesta de fase más plana en la banda de trabajo.

  • Transición de impedancia escalonada en lugar de un solo escalón abrupto
  • Menor reflexión y fase más plana en toda la banda
  • Compatible con ensamblaje por cable de unión y chip invertido (micro-bump)


Aplicaciones


  • Módulos front-end de arreglo en fase y formación de haces
  • Canales de recepción y transmisión de formación de haces digital
  • Tiles de arreglo de antenas 5G y 6G
  • Arreglos en fase de comunicación satelital
  • Acoplamiento de RF de banda ancha y bloqueo de CC entre canales
  • Front-ends de prueba y medición que requieren fase coincidente entre puertos


Capacitores MOS de correspondencia de fase de subgrado 100 pF 30V Chip para módulos de matriz de fase de formación de haces