HongAn Microwave Co., Ltd.
english
français
Deutsch
Italiano
Русский
Español
português
Nederlandse
ελληνικά
日本語
한국
polski
فارسی
বাংলা
ไทย
tiếng Việt
العربية
हिन्दी
Türkçe
indonesia
|
| نام تجاری: | Hoan |
| شماره مدل: | HPM101S30V100 |
| MOQ: | 10 عدد |
| شرایط پرداخت: | L/C، D/A، D/P، T/T |
خلاصه:HPM101S30V100 یک خازن MOS تک لایه ای 100 pF ، 30 V است که بر روی سیلیکون منطقه شناور با مقاومت بالا با دی الکتریک SiO2 به طور حرارتی رشد کرده است.برای تطبیق فاز فرعی در یک آرایه مشخص شده است.، به طوری که عناصر فردی پاسخ فازی ثابت را در انتهای جلو شکل دهنده شعاع حفظ می کنند.یک لایه تطبیق مقاومت گرادینتی، انتقال بین رابط الکترود و خط انتقال اطراف را ترکیب می کند، که ثبات فاز را در یک باند گسترده حفظ می کند. مقادیر ظرفیت سفارشی و لایه های تطبیقی در دسترس هستند.
| ماده | ارزش |
| برند | هوان |
| مدل | HPM101S30V100 |
| دسته بندی | هک کننده های MOS |
| ظرفیت | 100 pF ± 5٪ (± 2٪ در صورت درخواست) |
| ولتاژ نامی DC | 30 ولت |
| دی الکتریک | SiO2 حرارتی، پارالکتریک (300 nm) |
| تطابق فاز | درجه فرعی، عنصر به عنصر |
| رابط مقاومت | لایه تطبیق مقاومت شیب |
| پهنای باند قابل استفاده | DC تا 18 گیگاهرتز (معمولی) |
| پایان دادن | سیم پیوند یا فلپ چیپ میکرو-بمپ |
| اندازه تراشه | 0.50 × 0.50 × 0.15 میلی متر |
| دمای کار | -55 °C تا +125 °C |
| محل اصلی | شانسی، چین |
| گواهینامه | استاندارد ISO 9001:2015، RoHS |
| مقدار تولیدی | 10 تکه |
| زمان پیشرو | 5-7 روز کاری برای موجودی، 3-4 هفته برای تولید |
یک تغییر ناگهانی در الکترود یا مقاومت رابط بخشی از سیگنال را منعکس می کند و یک شیب فاز وابسته به فرکانس را اضافه می کند. HPM101S30V100 از یک لایه مطابقت مقاومت شیب استفاده می کند ،یک انتقال مرحله ای ساخته شده بین رابط دی الکتریک و الکترود، که این تغییر را به جای یک مرحله، در چندین سطح مانع متوسط گسترش می دهد.نتیجه یک مسیر مانع صاف تر با بازتاب کمتر و پاسخ فاز صاف تر در سراسر باند کاری است.
