Подробная информация о продукции

Created with Pixso. Дом Created with Pixso. Продукты Created with Pixso.
Конденсаторы MOS
Created with Pixso.

Конденсаторы MOS с фазовым согласованием субдискретного типа 100 пФ 30 В Чип для фазированных антенных решеток с формированием луча

Конденсаторы MOS с фазовым согласованием субдискретного типа 100 пФ 30 В Чип для фазированных антенных решеток с формированием луча

Название бренда: Hoan
Номер модели: ХПМ101С30В100
минимальный заказ: 10 шт.
Условия оплаты: Л/К, Д/А, Д/П, Т/Т
Детальная информация
Место происхождения:
Шэньси, Китай
Сертификация:
ISO 9001:2015, RoHS
Рабочая температура:
от -55°С до +125°С
Уровень чувствительности к влаге:
МСЛ 1 (J-STD-020)
РоХС:
Соответствует (ЕС 2015/863)
Допуск фазового согласования:
Подстепень, поэлементно
Полезная полоса пропускания:
От постоянного тока до 18 ГГц (типично)
Кастомизация:
Пользовательская емкость 10–1000 пФ, слой согласования градиента и геометрия кристалла
Выделить:

Конденсатор MOS мощностью 30 В для формирования лучей

,

Конденсаторный чип MOS 100 pF

,

конденсатор MOS с фазовым соответствием

Характер продукции

HPM101S30V100 КМОП-конденсатор с субградусной фазовой согласованностью — 100 пФ 30 В для формирования луча


Кратко: HPM101S30V100 — это однослойный КМОП-конденсатор емкостью 100 пФ и напряжением 30 В, изготовленный на основе кремния с высокой удельной проводимостью, выращенного методом зонной плавки, с термически выращенным диэлектриком из SiO2. Он предназначен для субградусной фазовой согласованности в массиве, чтобы отдельные элементы сохраняли постоянную фазовую характеристику в передних частях схем формирования луча. Слой согласования импеданса с градиентом сглаживает переход между интерфейсом электрода и окружающей линией передачи, что обеспечивает постоянство фазы в широкой полосе. Доступны индивидуальные значения емкости и согласовывающие слои.


Ключевые факты


Элемент Значение
Бренд Hoan
Модель HPM101S30V100
Категория КМОП-конденсаторы
Емкость 100 пФ ±5% (±2% по запросу)
Номинальное постоянное напряжение 30 В
Диэлектрик Термический SiO2, параэлектрик (300 нм)
Фазовая согласованность Субградусная, от элемента к элементу
Интерфейс импеданса Слой согласования импеданса с градиентом
Рабочая полоса пропускания От постоянного тока до 18 ГГц (типично)
Терминация Проводная связь или микровыступы для флип-чипа
Размер кристалла 0,50 x 0,50 x 0,15 мм
Рабочая температура -55 °C до +125 °C
Место происхождения Шэньси, Китай
Сертификация ISO 9001:2015, RoHS
Минимальный объем заказа 10 штук
Срок поставки 5-7 рабочих дней для наличия на складе, 3-4 недели для производства


Слой согласования импеданса с градиентом


Резкое изменение импеданса электрода или интерфейса отражает часть сигнала и добавляет фазовый наклон, зависящий от частоты. В HPM101S30V100 используется слой согласования импеданса с градиентом — ступенчатый переход, изготовленный между интерфейсом диэлектрика и электродом, который распределяет это изменение по нескольким промежуточным уровням импеданса вместо одного шага. Результатом является более плавный путь импеданса с меньшим отражением и более плоской фазовой характеристикой в рабочей полосе.

  • Ступенчатый переход импеданса вместо одного резкого шага
  • Меньшее отражение и более плоская фаза в полосе
  • Совместимость с проводной связью и флип-чипом (микровыступы)


Применение


  • Передние части модулей фазированных решеток и формирования луча
  • Цифровые каналы приема и передачи с формированием луча
  • Плитки антенных решеток 5G и 6G
  • Фазированные решетки спутниковой связи
  • Широкополосное ВЧ-связывание и блокировка постоянного тока между каналами
  • Передние части измерительного оборудования, требующие согласованной фазы между портами


Конденсаторы MOS с фазовым согласованием субдискретного типа 100 пФ 30 В Чип для фазированных антенных решеток с формированием луча