HongAn Microwave Co., Ltd.
english
français
Deutsch
Italiano
Русский
Español
português
Nederlandse
ελληνικά
日本語
한국
polski
فارسی
বাংলা
ไทย
tiếng Việt
العربية
हिन्दी
Türkçe
indonesia
|
| ชื่อแบรนด์: | Hoan |
| หมายเลขรุ่น: | HPM101S30V100 |
| ขั้นต่ำ: | 10 ชิ้น |
| เงื่อนไขการชำระเงิน: | L/C,D/A,D/P,T/T |
โดยสรุป: HPM101S30V100 เป็นตัวเก็บประจุ MOS แบบชั้นเดียว 100 pF, 30 V ที่สร้างขึ้นบนซิลิคอนแบบ float-zone ที่มีความต้านทานสูงพร้อมฉนวน SiO2 ที่เติบโตด้วยความร้อน ได้รับการระบุคุณสมบัติสำหรับการจับคู่เฟสระดับองศาภายในอาร์เรย์ เพื่อให้องค์ประกอบแต่ละส่วนคงการตอบสนองเฟสที่สม่ำเสมอในส่วนหน้าของการสร้างลำแสง ชั้นจับคู่ความต้านทานไล่ระดับจะผสมผสานการเปลี่ยนผ่านระหว่างอินเทอร์เฟซอิเล็กโทรดและสายส่งสัญญาณโดยรอบ ซึ่งช่วยรักษาความสม่ำเสมอของเฟสในช่วงความถี่กว้าง มีค่าความจุและชั้นจับคู่ที่กำหนดเองได้
| รายการ | ค่า |
| ยี่ห้อ | Hoan |
| รุ่น | HPM101S30V100 |
| หมวดหมู่ | ตัวเก็บประจุ MOS |
| ความจุ | 100 pF ±5% (±2% ตามคำขอ) |
| แรงดันไฟฟ้า DC ที่กำหนด | 30 V |
| ฉนวน | Thermal SiO2, paraelectric (300 nm) |
| การจับคู่เฟส | ระดับองศา, จากองค์ประกอบหนึ่งไปยังอีกองค์ประกอบหนึ่ง |
| อินเทอร์เฟซความต้านทาน | ชั้นจับคู่ความต้านทานไล่ระดับ |
| แบนด์วิดท์ที่ใช้งานได้ | DC ถึง 18 GHz (ทั่วไป) |
| การเชื่อมต่อ | การเชื่อมต่อแบบลวดหรือไมโครบั๊มพ์แบบฟลิปชิป |
| ขนาดชิป | 0.50 x 0.50 x 0.15 มม. |
| อุณหภูมิการทำงาน | -55 °C ถึง +125 °C |
| แหล่งกำเนิดสินค้า | Shaanxi, China |
| การรับรอง | ISO 9001:2015, RoHS |
| MOQ | 10 ชิ้น |
| ระยะเวลารอคอยสินค้า | 5-7 วันทำการสำหรับสินค้าในสต็อก, 3-4 สัปดาห์สำหรับการผลิต |
การเปลี่ยนแปลงอย่างกะทันหันของความต้านทานอิเล็กโทรดหรืออินเทอร์เฟซจะสะท้อนส่วนหนึ่งของสัญญาณและเพิ่มความเอียงของเฟสที่ขึ้นอยู่กับความถี่ HPM101S30V100 ใช้ชั้นจับคู่ความต้านทานไล่ระดับ ซึ่งเป็นการเปลี่ยนผ่านแบบขั้นที่สร้างขึ้นระหว่างอินเทอร์เฟซฉนวนและอิเล็กโทรด ซึ่งกระจายการเปลี่ยนแปลงนั้นไปทั่วระดับความต้านทานระดับกลางหลายระดับแทนที่จะเป็นขั้นเดียว ผลลัพธ์คือเส้นทางความต้านทานที่ราบรื่นขึ้นพร้อมกับการสะท้อนที่ต่ำลงและการตอบสนองเฟสที่ราบเรียบขึ้นในช่วงความถี่ที่ใช้งาน
