제품 세부 정보

Created with Pixso. 집 Created with Pixso. 제품 Created with Pixso.
MOS 콘덴시터
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하위 단계 단계 일치 MOS 콘덴시터 100 pF 30V 칩

하위 단계 단계 일치 MOS 콘덴시터 100 pF 30V 칩

브랜드 이름: Hoan
모델 번호: HPM101S30V100
MOQ: 10개
지불 조건: L/C,D/A,D/P,T/T
상세 정보
원래 장소:
중국 산시성
인증:
ISO 9001:2015, RoHS
작동 온도:
-55°C ~ +125°C
습도 감지 수준:
MSL 1(J-STD-020)
RoHS 규제:
준수(EU 2015/863)
위상 일치 공차:
하위 학위, 요소 간
사용 가능한 대역폭:
DC~18GHz(일반)
맞춤화:
맞춤형 정전 용량 10pF~1000pF, 그래디언트 매칭 레이어 및 다이 형상
강조하다:

30V MOS 컨덴시터

,

100pF MOS 콘덴서 칩

,

단계 일치 MOS 컨덴시터

제품 설명

HPM101S30V100 하위 계층 단계 일치 MOS 콘덴시터


요약하자면HPM101S30V100는 100pF, 30V 단층 MOS 콘덴시터로 고저항성 플로트존 실리콘과 열적으로 자란 SiO2 다이렉트릭을 사용한다.배열 전체에 있는 하위 계층 단계 일치에 지정됩니다., 각 요소가 빔 형식 앞쪽 끝에서 일관성있는 단계 반응을 유지하도록합니다.그레디언트 임피던스 매칭 레이어는 전극 인터페이스와 주변 전송 라인 사이의 전환을 혼합합니다., 넓은 대역에서 그 단계 일관성을 유지합니다. 사용자 정의 용량 값과 일치하는 계층이 제공됩니다.


주요 사실


항목 가치
브랜드 호안
모델 HPM101S30V100
카테고리 MOS 콘덴시터
용량 100pF ±5% (청구에 따라 ±2%)
정류압 등급 30V
다이렉트릭 열성 SiO2, 준전력 (300nm)
단계 일치 부등급, 요소에서 요소로
임피던스 인터페이스 그라디언트 임피던스 매칭 레이어
사용 가능한 대역폭 DC에서 18 GHz (유례)
폐지 와이어 본드 또는 플립 칩 마이크로 붐
칩 크기 00.50 x 0.50 x 0.15mm
작동 온도 -55 °C ~ +125 °C
원산지 중국 산시
인증 ISO 9001:2015RoHS
MOQ 10개
선행 시간 5~7일, 생산 3~4주


그라디언트 임페던스 매칭 레이어


전극 또는 인터페이스 임피던스의 급격한 변화는 신호의 일부를 반사하고 주파수 의존적 단계 기울기를 추가합니다. HPM101S30V100는 경사 임피던스 일치 계층을 사용합니다.디엘렉트릭 인터페이스와 전극 사이에 제조된 단계적 전환, 그 변화는 하나의 단계가 아닌 여러 중간 임피던스 레벨에 퍼집니다.결과는 낮은 반사와 작업 대역 전체에서 더 평평한 단계 반응과 함께 부드러운 임피던스 경로입니다..

  • 단 한 번의 급격한 단계 대신 단계적 임피던스 전환
  • 반사율이 낮고 폭역 전체에 평평한 단계
  • 와이어-본드 및 플립칩 (마이크로 펌프) 집합체와 호환된다


신청서


  • 단계 배열 및 빔 형성 전단 모듈
  • 디지털 빔 포밍 수신 및 전송 채널
  • 5G 및 6G 안테나 배열 타일
  • 위성 통신 단계 배열
  • 광대역 RF 결합 및 채널 간 DC 차단
  • 시험 및 측정 프론트엔드 포트 사이의 패스 매칭이 필요한 경우


하위 단계 단계 일치 MOS 콘덴시터 100 pF 30V 칩