요약하자면HPM101S30V100는 100pF, 30V 단층 MOS 콘덴시터로 고저항성 플로트존 실리콘과 열적으로 자란 SiO2 다이렉트릭을 사용한다.배열 전체에 있는 하위 계층 단계 일치에 지정됩니다., 각 요소가 빔 형식 앞쪽 끝에서 일관성있는 단계 반응을 유지하도록합니다.그레디언트 임피던스 매칭 레이어는 전극 인터페이스와 주변 전송 라인 사이의 전환을 혼합합니다., 넓은 대역에서 그 단계 일관성을 유지합니다. 사용자 정의 용량 값과 일치하는 계층이 제공됩니다.
| 항목 | 가치 |
| 브랜드 | 호안 |
| 모델 | HPM101S30V100 |
| 카테고리 | MOS 콘덴시터 |
| 용량 | 100pF ±5% (청구에 따라 ±2%) |
| 정류압 등급 | 30V |
| 다이렉트릭 | 열성 SiO2, 준전력 (300nm) |
| 단계 일치 | 부등급, 요소에서 요소로 |
| 임피던스 인터페이스 | 그라디언트 임피던스 매칭 레이어 |
| 사용 가능한 대역폭 | DC에서 18 GHz (유례) |
| 폐지 | 와이어 본드 또는 플립 칩 마이크로 붐 |
| 칩 크기 | 00.50 x 0.50 x 0.15mm |
| 작동 온도 | -55 °C ~ +125 °C |
| 원산지 | 중국 산시 |
| 인증 | ISO 9001:2015RoHS |
| MOQ | 10개 |
| 선행 시간 | 5~7일, 생산 3~4주 |
전극 또는 인터페이스 임피던스의 급격한 변화는 신호의 일부를 반사하고 주파수 의존적 단계 기울기를 추가합니다. HPM101S30V100는 경사 임피던스 일치 계층을 사용합니다.디엘렉트릭 인터페이스와 전극 사이에 제조된 단계적 전환, 그 변화는 하나의 단계가 아닌 여러 중간 임피던스 레벨에 퍼집니다.결과는 낮은 반사와 작업 대역 전체에서 더 평평한 단계 반응과 함께 부드러운 임피던스 경로입니다..
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