সাব-ডিগ্রি ফেজ মেচিং এমওএস ক্যাপাসিটর 100 পিএফ 30 ভোল্ট চিপ ফাজেড অ্যারে মডিউলগুলিকে বীমফর্মিং করার জন্য

HPM101S30V100 সাব-ডিগ্রী ফেজ ম্যাচিং MOS ক্যাপাসিটর — 100 pF 30V বিমফর্মিংয়ের জন্য

সংক্ষেপে: HPM101S30V100 হল একটি 100 pF, 30 V সিঙ্গেল-লেয়ার MOS ক্যাপাসিটর যা উচ্চ-প্রতিরোধক ফ্লোট-জোন সিলিকনের উপর নির্মিত এবং এতে থার্মালি গ্রোন SiO2 ডাইইলেকট্রিক রয়েছে। এটি একটি অ্যারে জুড়ে সাব-ডিগ্রী ফেজ ম্যাচিংয়ের জন্য নির্দিষ্ট করা হয়েছে, যাতে বিমফর্মিং ফ্রন্ট-এন্ডে স্বতন্ত্র উপাদানগুলি একটি সামঞ্জস্যপূর্ণ ফেজ প্রতিক্রিয়া বজায় রাখে। একটি গ্রেডিয়েন্ট ইম্পিডেন্স ম্যাচিং লেয়ার ইলেকট্রোড ইন্টারফেস এবং চারপাশের ট্রান্সমিশন লাইনের মধ্যে রূপান্তরকে মসৃণ করে, যা একটি বিস্তৃত ব্যান্ড জুড়ে সেই ফেজ সামঞ্জস্য বজায় রাখে। কাস্টম ক্যাপাসিট্যান্স মান এবং ম্যাচিং লেয়ার উপলব্ধ।

মূল তথ্য

গ্রেডিয়েন্ট ইম্পিডেন্স ম্যাচিং লেয়ার

ইলেকট্রোড বা ইন্টারফেস ইম্পিডেন্সের একটি আকস্মিক পরিবর্তন সংকেতের অংশ প্রতিফলিত করে এবং একটি ফ্রিকোয়েন্সি-নির্ভর ফেজ টিল্ট যোগ করে। HPM101S30V100 একটি গ্রেডিয়েন্ট ইম্পিডেন্স ম্যাচিং লেয়ার ব্যবহার করে, যা ডাইইলেকট্রিক ইন্টারফেস এবং ইলেকট্রোডের মধ্যে তৈরি একটি স্টেপড ট্রানজিশন, যা সেই পরিবর্তনকে একটি ধাপের পরিবর্তে একাধিক মধ্যবর্তী ইম্পিডেন্স স্তরে ছড়িয়ে দেয়। এর ফলে কম প্রতিফলন এবং কাজের ব্যান্ডের জুড়ে একটি মসৃণ ইম্পিডেন্স পথ এবং একটি ফ্ল্যাট ফেজ প্রতিক্রিয়া পাওয়া যায়।

• একটি একক আকস্মিক ধাপের পরিবর্তে স্টেপড ইম্পিডেন্স ট্রানজিশন
• কম প্রতিফলন এবং ব্যান্ডের জুড়ে ফ্ল্যাট ফেজ
• ওয়্যার-বন্ড এবং ফ্লিপ-চিপ (মাইক্রো-বাম্প) অ্যাসেম্বলির সাথে সামঞ্জস্যপূর্ণ

অ্যাপ্লিকেশন

• ফেজড-অ্যারে এবং বিমফর্মিং ফ্রন্ট-এন্ড মডিউল
• ডিজিটাল বিমফর্মিং রিসিভ এবং ট্রান্সমিট চ্যানেল
• 5G এবং 6G অ্যান্টেনা অ্যারে টাইলস
• স্যাটেলাইট কমিউনিকেশন ফেজড অ্যারে
• চ্যানেলের মধ্যে ওয়াইডব্যান্ড আরএফ কাপলিং এবং ডিসি ব্লকিং
• পরীক্ষা এবং পরিমাপ ফ্রন্ট-এন্ড যার জন্য পোর্টগুলির মধ্যে ম্যাচড ফেজ প্রয়োজন