ウェーハレベルBGA MOSコンデンサ 100pF 30V マイクロバンプ対応フリップチップ チップ ボンドワイヤフリーRFアセンブリ用

HFC101S30V100 ウェーファーレベル BGA MOS コンデンサータ 100 pF 30V フリップチップ 準備

簡単に言うとHFC101S30V100は,高抵抗性浮気ゾーンシリコンと熱栽培SiO2介電体で構築された100pF,30V単層MOSコンデンサである.それは,フラップチップのためのウェーファーレベルマイクロバンプ (BGA) 終結付で供給されています結合線のない組み立てであり,アモルフ型SiO2介電構造は二極性疲労を示さない. 密度の高いRFおよび電源モジュールのDCブロック,RFバイパスおよび結合に使用される.カスタム容量値ブロックのピッチとチップの幾何学が利用できます.

主要 な 事実

ウェッファーレベルBGA/マイクロバンプ準備

この装置は,ウーファーレベルのアンダー・ブンプ金属化 (UBM) と,SnAg溶接キャップ付きの銅柱のマイクロブンプで提供されています.標準のフリップチップ結合機で直接配置され,ウェーファーレベルパッケージ (WLP) とBGAリフローラインで処理できます各ダイはウエファーレベルの電気テストを受け デジタルウエファーマップが追跡可能になります

• 銅柱のマイクロブンプとSnAg溶接キャップ,ピッチは80μm (カスタムピッチは利用可能)
• リフロー対応 最大260°C 湿度感度レベルMSL 1
• デジタル・ウェーファー・マップによる 100% ウェーファー・レベル電気試験

フリップチップは,ボンドワイヤレス組み立てに準備されています

両端が対称なブン金属化によって片面に置かれているため,コンデンサターは金線結合なしでラミネート,セラミックまたはシリコンのインターポーザーに直接接続することができます.結合ワイヤーを除去すると,通常,連続誘導力を支配する相互接続を削除しますワイヤーボンドヒール疲労故障モードも削除します.これは短くて繰り返しのRF回帰経路と低い安定した相互誘導を必要とする設計に適しています.

• 金線債券は必要ない
• 固有チップ ESL <0.05 nH; 連続共鳴 > 6 GHz
• C4と銅柱のフリップチップ結合剤と互換性がある

申請

• ワイファーレベルのRFフロントエンドモジュールとフェーズ配列ビームホルマータイル
• フリップチップDCブロックとハイブリッドマイクロ回路におけるRF結合
• RF電源増幅機のバイアスネットワーク分離
• マルチチップモジュールにおける高密度バイパス
• 5Gの小型セルとバックホールのラジオフロントエンド
• 低で安定したESLを必要とする試験および測定フロントエンド