| ব্র্যান্ডের নাম: | Hoan |
| মডেল নম্বর: | HFC101S30V100 |
| MOQ: | 10 টুকরা |
| পেমেন্ট শর্তাবলী: | এল/সি, ডি/এ, ডি/পি, টি/টি |
সংক্ষেপেঃএইচএফসি১০১এস৩০ভি১০০ একটি ১০০ পিএফ, ৩০ ভোল্ট একক স্তরের এমওএস ক্যাপাসিটর যা উচ্চ প্রতিরোধের ফ্ল্যাট-জোন সিলিকন দিয়ে গরমভাবে উত্থিত সিও২ ডিয়েলেক্ট্রিক দিয়ে নির্মিত।এটি ফ্লিপ-চিপের জন্য ওয়েফার-স্তরের মাইক্রো-বাম্প (বিজিএ) সমাপ্তির সাথে সরবরাহ করা হয়এটি ডিসি ব্লকিং, আরএফ বাইপাস এবং ঘন আরএফ এবং পাওয়ার মডিউলগুলিতে সংযোগের জন্য ব্যবহৃত হয়।কাস্টম ক্যাপাসিট্যান্স মান, বাম্প পিচ এবং চিপ জ্যামিতি পাওয়া যায়।
| পয়েন্ট | মূল্য |
| ব্র্যান্ড | হোয়ান |
| মডেল | HFC101S30V100 |
| শ্রেণী | এমওএস ক্যাপাসিটর |
| ক্যাপাসিটি | ১০০ পিএফ ±১০% (কাস্টম ১০ পিএফ-১০০০ পিএফ) |
| নামমাত্র ডিসি ভোল্টেজ | ৩০ ভোল্ট |
| ডিলেক্ট্রিক | তাপীয় SiO2, প্যারা ইলেকট্রিক (300 nm) |
| অবসান | কপার-পিলার মাইক্রো-বাম্প / সোল্ডার বিজিএ |
| চিপ আকার | 0.50 x 0.50 x 0.15 মিমি |
| অপারেটিং তাপমাত্রা | -৫৫ °সি থেকে +১২৫ °সি |
| উৎপত্তিস্থল | শানসি, চীন |
| সার্টিফিকেশন | আইএসও ৯০০১ঃ2015, RoHS |
| MOQ | ১০ টুকরা |
| লিড টাইম | স্টক জন্য 5-7 কার্যদিবস, উৎপাদন জন্য 3-4 সপ্তাহ |
ডিভাইসটি ওয়েফার স্তরের আন্ডার-বাম্প ধাতবীকরণ (ইউবিএম) এবং একটি ব্রোঞ্জ-পিলার মাইক্রো-বাম্পের সাথে SnAg সোল্ডার ক্যাপ দিয়ে সরবরাহ করা হয়,তাই এটি স্ট্যান্ডার্ড ফ্লিপ-চিপ বন্ডার দ্বারা সরাসরি স্থাপন করা যেতে পারে এবং ওয়েফার-লেভেল প্যাকেজিং (ডাব্লুএলপি) এবং বিজিএ রিফ্লো লাইনে প্রক্রিয়াজাত করা যেতে পারেপ্রতিটি ডাইকে ওয়েফার স্তরের বৈদ্যুতিক পরীক্ষা করা হয় এবং ট্র্যাকযোগ্যতার জন্য একটি ডিজিটাল ওয়েফার মানচিত্র পাওয়া যায়।
যেহেতু উভয় টার্মিনালগুলি সমান্তরাল বাম্প ধাতবীকরণের মাধ্যমে এক মুখের উপর স্থাপন করা হয়, তাই ক্যাপাসিটারটি সোনার তারের বন্ড ছাড়াই ল্যামিনেট, সিরামিক বা সিলিকন ইন্টারপোজারগুলিতে সরাসরি সংযুক্ত করা যেতে পারে।বন্ধন তারের অপসারণ ইন্টারকানেক্ট অপসারণ করে যা সাধারণত সিরিজ ইন্ডাক্ট্যান্সকে প্রভাবিত করেএটি এমন ডিজাইনের জন্য উপযুক্ত যা স্বল্প, পুনরাবৃত্তিযোগ্য আরএফ রিটার্ন পাথ এবং একটি কম, স্থিতিশীল ইন্টারকানেক্ট ইন্ডাক্ট্যান্সের প্রয়োজন।
![]()