পণ্যের বিবরণ

Created with Pixso. বাড়ি Created with Pixso. পণ্য Created with Pixso.
MOS ক্যাপাসিটর
Created with Pixso.

ওয়েফার-লেভেল BGA MOS ক্যাপাসিটর 100 pF 30V মাইক্রো-বাম্প রেডি ফ্লিপ-চিপ চিপ বন্ডওয়্যার-ফ্রি RF অ্যাসেম্বলির জন্য

ওয়েফার-লেভেল BGA MOS ক্যাপাসিটর 100 pF 30V মাইক্রো-বাম্প রেডি ফ্লিপ-চিপ চিপ বন্ডওয়্যার-ফ্রি RF অ্যাসেম্বলির জন্য

ব্র্যান্ডের নাম: Hoan
মডেল নম্বর: HFC101S30V100
MOQ: 10 টুকরা
পেমেন্ট শর্তাবলী: এল/সি, ডি/এ, ডি/পি, টি/টি
বিস্তারিত তথ্য
উৎপত্তি স্থল:
শানসি, চীন
সাক্ষ্যদান:
ISO 9001:2015, RoHS
চিপ আকার:
0.50 x 0.50 x 0.15 মিমি
অপারেটিং তাপমাত্রা:
-55°C থেকে +125°C
কাস্টমাইজেশন:
কাস্টম ক্যাপাসিট্যান্স 10 pF-1000 pF, বাম্প পিচ এবং ডাই জ্যামিতি উপলব্ধ
বাম্প টাইপ:
SnAg সোল্ডার ক্যাপ সহ কপার পিলার
বাম্প পিচ:
80 µm (কাস্টম উপলব্ধ)
আর্দ্রতা সংবেদনশীলতা স্তর:
MSL 1 (J-STD-020)
RoHS:
অনুগত (EU 2015/863)
বিশেষভাবে তুলে ধরা:

ওয়েফার-লেভেল BGA MOS ক্যাপাসিটর 100 pF

,

30V মাইক্রো-বাম্প রেডি MOS ক্যাপাসিটর

,

RF অ্যাসেম্বলির জন্য ফ্লিপ-চিপ MOS ক্যাপাসিটর

পণ্যের বর্ণনা

HFC101S30V100 ওয়েফার-লেভেল BGA MOS ক্যাপাসিটর 100 pF 30V ফ্লিপ-চিপ রেডি


সংক্ষেপেঃএইচএফসি১০১এস৩০ভি১০০ একটি ১০০ পিএফ, ৩০ ভোল্ট একক স্তরের এমওএস ক্যাপাসিটর যা উচ্চ প্রতিরোধের ফ্ল্যাট-জোন সিলিকন দিয়ে গরমভাবে উত্থিত সিও২ ডিয়েলেক্ট্রিক দিয়ে নির্মিত।এটি ফ্লিপ-চিপের জন্য ওয়েফার-স্তরের মাইক্রো-বাম্প (বিজিএ) সমাপ্তির সাথে সরবরাহ করা হয়এটি ডিসি ব্লকিং, আরএফ বাইপাস এবং ঘন আরএফ এবং পাওয়ার মডিউলগুলিতে সংযোগের জন্য ব্যবহৃত হয়।কাস্টম ক্যাপাসিট্যান্স মান, বাম্প পিচ এবং চিপ জ্যামিতি পাওয়া যায়।


মূল তথ্য


পয়েন্ট মূল্য
ব্র্যান্ড হোয়ান
মডেল HFC101S30V100
শ্রেণী এমওএস ক্যাপাসিটর
ক্যাপাসিটি ১০০ পিএফ ±১০% (কাস্টম ১০ পিএফ-১০০০ পিএফ)
নামমাত্র ডিসি ভোল্টেজ ৩০ ভোল্ট
ডিলেক্ট্রিক তাপীয় SiO2, প্যারা ইলেকট্রিক (300 nm)
অবসান কপার-পিলার মাইক্রো-বাম্প / সোল্ডার বিজিএ
চিপ আকার 0.50 x 0.50 x 0.15 মিমি
অপারেটিং তাপমাত্রা -৫৫ °সি থেকে +১২৫ °সি
উৎপত্তিস্থল শানসি, চীন
সার্টিফিকেশন আইএসও ৯০০১ঃ2015, RoHS
MOQ ১০ টুকরা
লিড টাইম স্টক জন্য 5-7 কার্যদিবস, উৎপাদন জন্য 3-4 সপ্তাহ


ওয়েফার-লেভেল বিজিএ / মাইক্রো-বাম্প রেডি


ডিভাইসটি ওয়েফার স্তরের আন্ডার-বাম্প ধাতবীকরণ (ইউবিএম) এবং একটি ব্রোঞ্জ-পিলার মাইক্রো-বাম্পের সাথে SnAg সোল্ডার ক্যাপ দিয়ে সরবরাহ করা হয়,তাই এটি স্ট্যান্ডার্ড ফ্লিপ-চিপ বন্ডার দ্বারা সরাসরি স্থাপন করা যেতে পারে এবং ওয়েফার-লেভেল প্যাকেজিং (ডাব্লুএলপি) এবং বিজিএ রিফ্লো লাইনে প্রক্রিয়াজাত করা যেতে পারেপ্রতিটি ডাইকে ওয়েফার স্তরের বৈদ্যুতিক পরীক্ষা করা হয় এবং ট্র্যাকযোগ্যতার জন্য একটি ডিজিটাল ওয়েফার মানচিত্র পাওয়া যায়।

  • ব্রোঞ্জ-পিলার মাইক্রো-বাম্প SnAg লোডার ক্যাপ সহ, 80 μm পিচ (কাস্টম পিচ উপলব্ধ)
  • রিফ্লো সামঞ্জস্যপূর্ণ সর্বোচ্চ 260 °C পর্যন্ত; আর্দ্রতা সংবেদনশীলতা স্তর MSL 1
  • ডিজিটাল ওয়েফার ম্যাপের সাথে 100% ওয়েফার স্তরের বৈদ্যুতিক পরীক্ষা


ফ্লিপ-চিপ বন্ড-ওয়্যার মুক্ত সমাবেশের জন্য প্রস্তুত


যেহেতু উভয় টার্মিনালগুলি সমান্তরাল বাম্প ধাতবীকরণের মাধ্যমে এক মুখের উপর স্থাপন করা হয়, তাই ক্যাপাসিটারটি সোনার তারের বন্ড ছাড়াই ল্যামিনেট, সিরামিক বা সিলিকন ইন্টারপোজারগুলিতে সরাসরি সংযুক্ত করা যেতে পারে।বন্ধন তারের অপসারণ ইন্টারকানেক্ট অপসারণ করে যা সাধারণত সিরিজ ইন্ডাক্ট্যান্সকে প্রভাবিত করেএটি এমন ডিজাইনের জন্য উপযুক্ত যা স্বল্প, পুনরাবৃত্তিযোগ্য আরএফ রিটার্ন পাথ এবং একটি কম, স্থিতিশীল ইন্টারকানেক্ট ইন্ডাক্ট্যান্সের প্রয়োজন।

  • স্বর্ণের বোন্ডের প্রয়োজন নেই
  • অন্তর্নিহিত চিপ ESL <0.05 nH; সিরিজ রেজোনেন্স >6 GHz
  • C4 এবং তামার স্তম্ভের ফ্লিপ-চিপ বন্ডারগুলির সাথে সামঞ্জস্যপূর্ণ


অ্যাপ্লিকেশন


  • ওয়েফার-স্তরের আরএফ ফ্রন্ট-এন্ড মডিউল এবং ফেজ-অ্যারে বিমফর্মার টাইলস
  • হাইব্রিড মাইক্রোসার্কিটে ফ্লিপ-চিপ ডিসি ব্লক এবং আরএফ কাপলিং
  • আরএফ পাওয়ার এম্প্লিফায়ারগুলির জন্য বায়াস নেটওয়ার্ক ডিসক্যাপলিং
  • মাল্টি-চিপ মডিউলে উচ্চ ঘনত্ব বাইপাস
  • 5G ছোট সেল এবং ব্যাকহোল রেডিও ফ্রন্ট-এন্ড
  • নিম্ন, স্থিতিশীল ESL প্রয়োজন পরীক্ষা এবং পরিমাপ সামনে প্রান্ত


ওয়েফার-লেভেল BGA MOS ক্যাপাসিটর 100 pF 30V মাইক্রো-বাম্প রেডি ফ্লিপ-চিপ চিপ বন্ডওয়্যার-ফ্রি RF অ্যাসেম্বলির জন্য

সম্পর্কিত পণ্য