Wafer Seviyesi BGA MOS Kapasitörler 100 pF 30V Mikro-Bump Hazır Flip-Chip Chip Bondwire-Siz RF Montajı İçin

HFC101S30V100 Wafer-Level BGA MOS Kondensatörü 100 pF 30V Flip-Chip Hazır

Kısacası:HFC101S30V100, yüksek dirençli yüzen bölge silikonunda termal olarak yetiştirilen SiO2 dielektrikle inşa edilen 100 pF, 30 V tek katmanlı MOS kondansatörüdür.Flip-çip için wafer düzeyinde mikro-bump (BGA) sonlandırması ile sağlanır, bağ telsiz montajı ve amorf SiO2 dielektrik mimarisi dipol yorgunluğu göstermez.Özel kapasite değerleri, darbeler ve çip geometrileri mevcuttur.

Temel Bilgiler

Wafer-Level BGA / Mikro-Bump Hazır

Cihaz, wafer seviyesinde alt-bump metallizasyon (UBM) ve SnAg lehim kapağı olan bakır sütunlu bir mikro-bump ile teslim edilir.böylece doğrudan standart flip-chip bağlayıcıları ile yerleştirilebilir ve wafer seviyesinde ambalajlama (WLP) ve BGA geri akış hatlarında işlenebilirHer bir döşeme wafer düzeyinde elektrik testi alır ve dijital bir wafer haritası izlenebilirlik için kullanılabilir.

• SnAg lehim kapağı ile bakır sütunlu mikro-bump, 80 μm pitch (özel bir pitch mevcut)
• 260 °C'ye kadar geri akış uyumlu; nem duyarlılığı seviyesi MSL 1
• Dijital wafer haritasıyla %100 wafer düzeyinde elektrik testi

Flip-Chip, Bondwire-Free Montajı için Hazır

Her iki terminalin de simetrik yumru metalleştirme yoluyla tek bir yüzeye yerleştirildiği için, kondansatör doğrudan altın tel bağları olmadan laminat, seramik veya silikon aralarına bağlanabilir.Bağ tellerini çıkarmak, normalde seri indüktansına hakim olan bağlantıyı kaldırırBu, kısa, tekrarlanabilir RF dönüş yollarına ve düşük, istikrarlı bir bağlantı indüktansına ihtiyaç duyan tasarımlara uygundur.

• Altın tel tahvilleri gerekmiyor.
• İç çip ESL <0,05 nH; seri rezonansı >6 GHz
• C4 ve bakır sütunlu flip-chip bağlayıcılarla uyumludur

Başvurular

• Wafer düzeyinde RF ön uç modülleri ve fazlı dizi ışın formörleri
• Flip-chip DC blokları ve hibrit mikro devrelerde RF bağlantısı
• RF güç amplifikatörleri için önyargı ağı koparımı
• Çoklu çipli modüllerde yüksek yoğunluklu atlama
• 5G küçük hücreli ve backhaul radyo ön uçları
• Düşük, istikrarlı ESL gerektiren test ve ölçüm ön uçları