HongAn Microwave Co., Ltd.
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| ब्रांड का नाम: | Hoan |
| मॉडल नंबर: | एचएफसी101एस30वी100 |
| MOQ: | 10 टुकड़े |
| भुगतान की शर्तें: | एल/सी,डी/ए,डी/पी,टी/टी |
संक्षेप में:HFC101S30V100 एक 100 pF, 30 V एकल-परत MOS कैपेसिटर है जो एक थर्मल रूप से उगाए गए SiO2 डाइलेक्ट्रिक के साथ उच्च प्रतिरोधता फ्लोट-ज़ोन सिलिकॉन पर बनाया गया है।यह फ्लिप-चिप के लिए वेफर-स्तर माइक्रो-बंप (बीजीए) समापन के साथ आपूर्ति की जाती है, बॉन्डवायर-मुक्त असेंबली, और इसकी अनाकार SiO2 डाइलेक्ट्रिक वास्तुकला में द्विध्रुवी थकान नहीं होती है। इसका उपयोग घने आरएफ और पावर मॉड्यूल में डीसी ब्लॉक, आरएफ बायपास और युग्मन के लिए किया जाता है।कस्टम क्षमता मान, टक्कर पिच और चिप ज्यामिति उपलब्ध हैं।
| पद | मूल्य |
| ब्रांड | होन |
| मॉडल | HFC101S30V100 |
| श्रेणी | एमओएस संधारित्र |
| क्षमता | 100 पीएफ ±10% (कस्टम 10 पीएफ-1000 पीएफ) |
| नामित डीसी वोल्टेज | 30 वी |
| डायलेक्ट्रिक | थर्मल SiO2, पैराइलेक्ट्रिक (300 एनएम) |
| समाप्ति | तांबा-स्तंभ माइक्रो-बंप / सोल्डर बीजीए |
| चिप का आकार | 0.50 x 0.50 x 0.15 मिमी |
| ऑपरेटिंग तापमान | -55 °C से +125 °C |
| मूल स्थान | शांक्सी, चीन |
| प्रमाणन | आईएसओ 9001:2015RoHS |
| एमओक्यू | 10 टुकड़े |
| लीड टाइम | स्टॉक के लिए 5-7 कार्यदिवस, उत्पादन के लिए 3-4 सप्ताह |
उपकरण को वेफर स्तर के अंडर-बंप धातुकरण (यूबीएम) और एक तांबे के स्तंभ वाले माइक्रो-बंप के साथ SnAg सोल्डर कैप के साथ दिया जाता है,तो यह सीधे मानक फ्लिप-चिप बॉन्डर्स द्वारा रखा जा सकता है और वेफर-लेवल पैकेजिंग (WLP) और BGA रिफ्लो लाइनों में संसाधित किया जा सकता हैप्रत्येक डाई को वेफर स्तर पर विद्युत परीक्षण प्राप्त होता है, और ट्रैसेबिलिटी के लिए डिजिटल वेफर का नक्शा उपलब्ध होता है।
चूंकि दोनों टर्मिनलों को सममित बम्प धातुकरण के माध्यम से एक चेहरे पर रखा जाता है, इसलिए कंडेनसर को सीधे सोने के तार बंधन के बिना लेमिनेट, सिरेमिक या सिलिकॉन इंटरपोजर से जोड़ा जा सकता है।बंधन तारों को हटाने से इंटरकनेक्ट को हटा दिया जाता है जो सामान्य रूप से श्रृंखला प्रेरण पर हावी होता है, और वायर-बॉन्ड हील थकान विफलता मोड को भी हटा देता है। यह उन डिजाइनों के लिए उपयुक्त है जिन्हें कम, दोहराए जाने योग्य आरएफ वापसी पथ और एक कम, स्थिर इंटरकनेक्ट प्रेरण की आवश्यकता होती है।
