Tụ điện MOS BGA cấp Wafer 100 pF 30V sẵn sàng Micro-Bump Flip-Chip cho Lắp ráp RF không dùng dây liên kết

HFC101S30V100 BGA MOS Capacitor cấp wafer 100 pF 30V Flip-Chip Ready

Nói tóm lại:HFC101S30V100 là một chất điện MOS lớp đơn 100 pF, 30 V được xây dựng trên silic vùng nổi kháng cao với một chất điện môi SiO2 phát triển nhiệt.Nó được cung cấp với wafer-level micro-bump (BGA) kết thúc cho flip-chip, lắp ráp không dây liên kết, và kiến trúc dielectric amorphous SiO2 của nó không thể hiện mệt mỏi dipole. Nó được sử dụng để chặn DC, bỏ qua RF và ghép nối trong RF dày đặc và các mô-đun điện.Giá trị dung lượng tùy chỉnh, bump pitches và chip hình học có sẵn.

Những sự thật chính

BGA cấp wafer / Micro-Bump Ready

Thiết bị được cung cấp với UBM (Under-Bump Metallisation) ở cấp wafer và một micro-bump trụ đồng với nắp hàn SnAg,Vì vậy, nó có thể được đặt trực tiếp bằng các chất kết nối flip-chip tiêu chuẩn và được xử lý trong bao bì cấp wafer (WLP) và các đường reflow BGAMỗi die nhận được thử nghiệm điện ở mức wafer, và bản đồ wafer kỹ thuật số có sẵn để theo dõi.

• Micro-bump cột đồng với nắp hàn SnAg, pitch 80 μm (pitch tùy chỉnh có sẵn)
• Phù hợp với dòng chảy trở lại lên đến đỉnh 260 °C; mức độ nhạy cảm với độ ẩm MSL 1
• Xét nghiệm điện ở mức wafer 100% với bản đồ wafer kỹ thuật số

Flip-Chip sẵn sàng để lắp ráp không dây liên kết

Bởi vì cả hai đầu cuối được đặt trên một mặt thông qua kim loại hóa nếp nhăn đối xứng, tụ có thể được gắn trực tiếp vào các thiết bị xen kẽ bằng nhựa, gốm hoặc silicon mà không cần liên kết dây vàng.Loại bỏ dây liên kết loại bỏ các kết nối liên kết mà thường thống trị series inductanceĐiều này phù hợp với các thiết kế cần đường quay RF ngắn, lặp đi lặp lại và cảm ứng kết nối ổn định thấp.

• Không cần trái phiếu dây vàng
• Chip nội tại ESL < 0,05 nH; cộng hưởng hàng loạt > 6 GHz
• Khả năng kết hợp với các chất kết nối C4 và các chất kết nối flip-chip cột đồng

Ứng dụng

• Các mô-đun RF phía trước cấp wafer và các tấm hình chùm phased-array
• Các khối DC Flip-chip và nối RF trong vi mạch lai
• Phân tách mạng Bias cho bộ khuếch đại công suất RF
• Bước bỏ mật độ cao trong các mô-đun đa chip
• 5G tế bào nhỏ và backhaul radio front-ends
• Các phần trước thử nghiệm và đo lường đòi hỏi ESL thấp, ổn định