Wafer-Level BGA MOS Kondensator 100 pF 30V Micro-Bump Ready Flip-Chip Chip untuk Bondwire-Free RF Assembly

HFC101S30V100 Kapasitor MOS BGA Tingkat Wafer — 100 pF 30V Siap Flip-Chip

Singkatnya: HFC101S30V100 adalah kapasitor MOS lapisan tunggal 100 pF, 30 V yang dibangun di atas silikon float-zone dengan resistivitas tinggi dengan dielektrik SiO2 yang tumbuh secara termal. Kapasitor ini dilengkapi dengan terminasi micro-bump (BGA) tingkat wafer untuk perakitan flip-chip tanpa kawat sambung, dan arsitektur dielektrik SiO2 amorfnya tidak menunjukkan kelelahan dipol. Kapasitor ini digunakan untuk pemblokiran DC, bypass RF, dan kopling dalam modul RF dan daya yang padat. Nilai kapasitansi khusus, pitch bump, dan geometri chip tersedia.

Fakta Kunci

Siap BGA / Micro-Bump Tingkat Wafer

Perangkat dikirimkan dengan metalisasi bawah bump (UBM) tingkat wafer dan micro-bump pilar tembaga dengan tutup solder SnAg, sehingga dapat ditempatkan langsung oleh bonder flip-chip standar dan diproses dalam jalur pengemasan tingkat wafer (WLP) dan reflow BGA. Setiap die menerima uji listrik tingkat wafer, dan peta wafer digital tersedia untuk keterlacakan.

• Micro-bump pilar tembaga dengan tutup solder SnAg, pitch 80 µm (pitch kustom tersedia)
• Kompatibel dengan reflow hingga puncak 260 °C; tingkat kepekaan kelembaban MSL 1
• Uji listrik tingkat wafer 100% dengan peta wafer digital

Siap Flip-Chip untuk Perakitan Tanpa Kawat Sambung

Karena kedua terminal ditempatkan pada satu sisi melalui metalisasi bump simetris, kapasitor dapat dipasang langsung ke interposer laminasi, keramik, atau silikon tanpa kawat sambung emas. Menghilangkan kawat sambung menghilangkan interkoneksi yang biasanya mendominasi induktansi seri, dan juga menghilangkan mode kegagalan kelelahan tumit kawat sambung. Ini cocok untuk desain yang membutuhkan jalur kembali RF yang pendek dan berulang serta induktansi interkoneksi yang rendah dan stabil.

• Tidak perlu kawat sambung emas
• ESL Chip Intrinsik6 GHz
• Kompatibel dengan bonder flip-chip C4 dan pilar tembaga

Aplikasi

• Modul front-end RF tingkat wafer dan ubin beamformer phased-array
• Blok DC flip-chip dan kopling RF dalam mikro-sirkuit hibrida
• Dekopling jaringan bias untuk penguat daya RF
• Bypass kepadatan tinggi dalam modul multi-chip
• Front-end radio sel kecil dan backhaul 5G
• Front-end pengujian dan pengukuran yang membutuhkan ESL rendah dan stabil