Condensadores MOS BGA a Nivel de Oblea 100 pF 30V Micro-Bump Ready Flip-Chip Chip para Ensamblaje RF sin Hilo de Unión

HFC101S30V100 condensador BGA MOS de nivel de obleas 100 pF 30V listo para el chip de vuelta

En resumen:El HFC101S30V100 es un condensador MOS de una sola capa de 100 pF y 30 V construido con silicio de zona flotante de alta resistividad con un dieléctrico SiO2 cultivado térmicamente.Se suministra con terminación de micro-bump (BGA) a nivel de oblea para flip-chipSe utiliza para el bloqueo de CC, el bypass de RF y el acoplamiento en módulos densos de RF y de potencia.Valores de capacidad personalizados, los baches y las geometrías de los chips están disponibles.

Hechos clave

BGA a nivel de oblea / Micro-Bump listo

El dispositivo se suministra con metalización por debajo de la columna a nivel de oblea (UBM) y una micro columna de cobre con una tapa de soldadura SnAg,por lo que puede colocarse directamente por medio de aglutinadores de flip-chip estándar y procesarse en envases a nivel de obleas (WLP) y líneas de reflujo BGACada dado recibe una prueba eléctrica a nivel de la oblea, y un mapa digital de la oblea está disponible para la trazabilidad.

• Micro-bump de columna de cobre con tapa de soldadura SnAg, tono de 80 μm (disponible tono personalizado)
• Compatible con el reflujo hasta un máximo de 260 °C; nivel de sensibilidad a la humedad MSL 1
• Prueba eléctrica al 100% a nivel de la oblea con mapa digital de la oblea

Flip-chip listo para el ensamblaje sin alambre de unión

Debido a que ambos terminales se colocan en una cara a través de metalización simétrica de protuberancias, el condensador se puede conectar directamente a interponedores de laminado, cerámica o silicio sin enlaces de alambre de oro.La eliminación de cables de unión elimina la interconexión que normalmente domina la inductancia en serieEsto se adapta a los diseños que necesitan rutas de retorno de RF cortas y repetibles y una inductancia de interconexión baja y estable.

• No se requieren bonos de alambre de oro
• Las señales de luz de un chip intrínseco (ESL) < 0,05 nH; resonancia en serie > 6 GHz
• Compatibles con los aglutinantes de flip-chip de C4 y de columnas de cobre

Aplicaciones

• Módulos frontales de RF a nivel de oblea y placas de formación de haz de matriz en fase
• Bloques de corriente continua con chips de retorno y acoplamiento de RF en microcircuitos híbridos
• Desacoplamiento de redes de sesgo para amplificadores de potencia de RF
• Desvío de alta densidad en módulos multichip
• 5G para celdas pequeñas y radiofónicas de retorno
• Frentes de ensayo y medición que requieren una ESL baja y estable