HongAn Microwave Co., Ltd.
english
français
Deutsch
Italiano
Русский
Español
português
Nederlandse
ελληνικά
日本語
한국
polski
فارسی
বাংলা
ไทย
tiếng Việt
العربية
हिन्दी
Türkçe
indonesia
|
| اسم العلامة التجارية: | Hoan |
| رقم الموديل: | HFC101S30V100 |
| موك: | 10 قطع |
| شروط الدفع: | خطاب الاعتماد، د/أ، د/ف، تي/تي |
باختصار:HFC101S30V100 هو مكثف MOS أحادي الطبقة بسعة 100 بيكوفاراد وجهد 30 فولت، مبني على سيليكون عالي المقاومة من نوع Float-Zone مع عازل SiO2 مُنمو حرارياً. يتم توفيره مع إنهاءات دقيقة (BGA) على مستوى الرقاقة للتجميع المقلوب الخالي من أسلاك الربط، وهيكله العازل من SiO2 غير المتبلور لا يُظهر إجهاد ثنائي القطب. يُستخدم لحجب التيار المستمر، وتجاوز الترددات الراديوية، والاقتران في وحدات الترددات الراديوية والطاقة الكثيفة. تتوفر قيم سعة مخصصة، ومسافات بين النتوءات، وأشكال رقاقات.
| البند | القيمة |
| العلامة التجارية | Hoan |
| الموديل | HFC101S30V100 |
| الفئة | مكثفات MOS |
| السعة | 100 بيكوفاراد ±10% (مخصصة 10 بيكوفاراد - 1000 بيكوفاراد) |
| جهد التيار المستمر المقنن | 30 فولت |
| العازل | SiO2 حراري، كهروضوئي (300 نانومتر) |
| الإنهاء | نتوءات دقيقة عمود نحاسي / BGA لحام |
| حجم الرقاقة | 0.50 × 0.50 × 0.15 ملم |
| درجة حرارة التشغيل | -55 درجة مئوية إلى +125 درجة مئوية |
| مكان المنشأ | شنشي، الصين |
| الشهادات | ISO 9001:2015، RoHS |
| الحد الأدنى للطلب | 10 قطع |
| وقت التسليم | 5-7 أيام عمل للمخزون، 3-4 أسابيع للإنتاج |
يتم تسليم الجهاز مع طبقة معدنية تحت النتوء (UBM) على مستوى الرقاقة ونتوء دقيق عمود نحاسي مع غطاء لحام SnAg، لذلك يمكن وضعه مباشرة بواسطة آلات اللحام المقلوب القياسية ومعالجته في خطوط التعبئة على مستوى الرقاقة (WLP) وخطوط إعادة لحام BGA. كل رقاقة تخضع لاختبار كهربائي على مستوى الرقاقة، ويتوفر خريطة رقاقة رقمية للتتبع.
نظرًا لأن كلا الطرفين موضوعان على وجه واحد من خلال معدنة النتوء المتماثلة، يمكن توصيل المكثف مباشرة بالركائز الرقائقية أو السيراميكية أو السيليكونية بدون أسلاك ذهبية. إزالة أسلاك الربط تزيل الوصلة التي تهيمن عادةً على الحث المتسلسل، وتزيل أيضًا وضع فشل إجهاد كعب سلك الربط. هذا يناسب التصميمات التي تحتاج إلى مسارات إرجاع RF قصيرة وقابلة للتكرار وحث وصلة منخفض ومستقر.
