HongAn Microwave Co., Ltd.
english
français
Deutsch
Italiano
Русский
Español
português
Nederlandse
ελληνικά
日本語
한국
polski
فارسی
বাংলা
ไทย
tiếng Việt
العربية
हिन्दी
Türkçe
indonesia
|
| نام تجاری: | Hoan |
| شماره مدل: | HFC101S30V100 |
| MOQ: | 10 عدد |
| شرایط پرداخت: | L/C، D/A، D/P، T/T |
خلاصه:HFC101S30V100 یک خازن MOS تک لایه ای 100 pF ، 30 V است که بر روی سیلیکون منطقه شناور با مقاومت بالا با دی الکتریک SiO2 به طور حرارتی رشد کرده است.آن را با پایان micro-bump (BGA) در سطح وافر برای فلیپ چیپ عرضه می شود، مونتاژ بدون سیم اتصال ، و معماری دی الکتریک بی شکل SiO2 آن از خستگی دیپول برخوردار نیست. برای مسدود کردن DC ، دور زدن RF و اتصال در ماژول های RF متراکم و قدرت استفاده می شود.مقادیر ظرفیت سفارشی، ارتفاعات ضربه و هندسه های تراشه در دسترس هستند.
| ماده | ارزش |
| برند | هوان |
| مدل | HFC101S30V100 |
| دسته بندی | هک کننده های MOS |
| ظرفیت | 100 pF ± 10% (معمولی 10 pF-1000 pF) |
| ولتاژ نامی DC | 30 ولت |
| دی الکتریک | SiO2 حرارتی، پارالکتریک (300 nm) |
| پایان دادن | مایکرو-پمپ / پمپ BGA |
| اندازه تراشه | 0.50 × 0.50 × 0.15 میلی متر |
| دمای کار | -55 °C تا +125 °C |
| محل اصلی | شانسی، چین |
| گواهینامه | استاندارد ISO 9001:2015، RoHS |
| مقدار تولیدی | 10 تکه |
| زمان پیشرو | 5-7 روز کاری برای موجودی، 3-4 هفته برای تولید |
این دستگاه با فلز سازی زیر-بمپ (UBM) در سطح وافر و یک میکرو-بمپ ستون مس با یک کلاه جوش SnAg تحویل داده می شود.بنابراین می تواند به طور مستقیم توسط اتصال کننده های استاندارد فلپ چیپ قرار داده شود و در بسته بندی سطح وافر (WLP) و خطوط بازپرداخت BGA پردازش شودهر کاشی تست الکتریکی سطح وافر را دریافت می کند و یک نقشه دیجیتال وافر برای ردیابی در دسترس است.
از آنجا که هر دو ترمینال از طریق فلز سازی متماثل تپ می شوند، خازن می تواند مستقیماً بدون اتصال سیم طلا به لامینات، سرامیک یا سیلیکون متصل شود.حذف سیم های اتصال از بین بردن اتصال که به طور معمول تسلط بر انژکتانس سری، و همچنین حالت شکست خستگی پاشنه سیم بسته را حذف می کند. این مناسب طراحی هایی است که به مسیرهای بازگشت RF کوتاه و قابل تکرار و یک استحکام اتصال پایین و پایدار نیاز دارند.
