Wafer-Level BGA MOS Kondensatoren 100 pF 30V Mikrobump Ready Flip-Chip Chip für Bindungsstrangfreie HF-Montage

HFC101S30V100 Wafer-Level BGA MOS-Kondensator

Kurz gesagt:Der HFC101S30V100 ist ein 100 pF, 30 V einlagiger MOS-Kondensator, der auf hochwiderstandsfähigem Float-Zone-Silizium mit einem thermisch angebauten SiO2-Dielectric gebaut wurde.Es wird mit einer Wafer-Level-Mikro-Bump (BGA) -Endung für Flip-Chip geliefert, Bindungsdrahtfreie Montage, und seine amorphe SiO2-Dielektrizitätsarchitektur zeigt keine Dipolmüdigkeit.Benutzerdefinierte Kapazitätswerte, Stoßhöhen und Chipgeometrien sind verfügbar.

Die wichtigsten Fakten

Wafer-Level BGA / Mikrobump bereit

Das Gerät wird mit einer Wafer-Level-Under-Bump-Metallisierung (UBM) und einem Kupfer-Säulen-Mikro-Bump mit einer SnAg-Lötkappe geliefert.so dass es direkt durch Standard-Flip-Chip-Bindungen platziert und in Wafer-Level-Verpackungen (WLP) und BGA-Rückflussleitungen verarbeitet werden kannJeder Die erhält einen elektrischen Wafer-Test und eine digitale Wafer-Karte ist zur Rückverfolgbarkeit verfügbar.

• Kupfer-Säulen-Mikro-Bump mit SnAg-Lötkappe, 80 μm Schräg (anpassbarer Schräg)
• Rückflusskompatibel bis zu 260 °C; Feuchtigkeitsempfindlichkeit MSL 1
• 100%ige elektrische Prüfung auf Waferebene mit digitaler Waferkarte

Flip-Chip bereit für Bindungsstrang-freie Montage

Da beide Endgeräte durch symmetrische Stoßmetallisierung auf einer Seite platziert werden, kann der Kondensator ohne Golddrahtbindungen direkt an Laminat-, Keramik- oder Silizium-Interposatoren befestigt werden.Das Entfernen von Bindungsdrähten entfernt die Verbindung, die normalerweise die Serieninduktivität dominiertDies eignet sich für Designs, die kurze, wiederholbare HF-Rücklaufwege und eine niedrige, stabile Verbindungsinduktivität benötigen.

• Keine Golddrahtanleihen erforderlich
• Innerer Chip ESL < 0,05 nH; Serienresonanz > 6 GHz
• Kompatibel mit C4- und Kupfer-Säulen-Flip-Chip-Bindemitteln

Anwendungen

• Wafer-Rohfrequenz-Front-End-Module und Faser-Array-Beamformer-Fliesen
• Flip-Chip Gleichstromblöcke und HF-Kopplung in hybriden Mikrokreisen
• Bias-Netzwerkentkopplung für HF-Leistungsverstärker
• High-Density-Bypass in Multi-Chip-Modulen
• 5G-Frontends für kleine Zellen und Backhaul-Radios
• Prüf- und Messoberflächen, für die eine niedrige, stabile ESL erforderlich ist