Подробная информация о продукции

Created with Pixso. Дом Created with Pixso. Продукты Created with Pixso.
Конденсаторы MOS
Created with Pixso.

КМОП-конденсаторы BGA на уровне пластины 100 пФ 30 В, готовые к микровыводам, Flip-Chip, чип для сборки ВЧ без проводников

КМОП-конденсаторы BGA на уровне пластины 100 пФ 30 В, готовые к микровыводам, Flip-Chip, чип для сборки ВЧ без проводников

Название бренда: Hoan
Номер модели: ХФУ101С30В100
минимальный заказ: 10 шт.
Условия оплаты: Л/К, Д/А, Д/П, Т/Т
Детальная информация
Место происхождения:
Шэньси, Китай
Сертификация:
ISO 9001:2015, RoHS
Размер чипа:
0,50 х 0,50 х 0,15 мм
Рабочая температура:
от -55°С до +125°С
Кастомизация:
Возможна нестандартная емкость от 10 до 1000 пФ, шаг выступа и геометрия кристалла.
Тип удара:
Медный столбик с колпачком под припой SnAg
Ударный шаг:
80 мкм (доступно по индивидуальному заказу)
Уровень чувствительности к влаге:
МСЛ 1 (J-STD-020)
РоХС:
Соответствует (ЕС 2015/863)
Выделить:

Конденсатор BGA MOS на уровне пластины 100 pF

,

Конденсатор MOS 30В с готовностью к микроскопическим ударам

,

Конденсатор Flip-Chip MOS для сборки RF

Характер продукции

HFC101S30V100 Керамический конденсатор BGA на уровне пластины MOS — 100 пФ, 30 В, готов к флип-чип монтажу


Вкратце: HFC101S30V100 представляет собой однослойный МОП-конденсатор емкостью 100 пФ и напряжением 30 В, изготовленный на кремнии с высокой удельной проводимостью, выращенном методом зонной плавки, с термически выращенным диэлектриком из SiO2. Он поставляется с микровыводами BGA на уровне пластины для флип-чип монтажа без проволочных выводов, а его аморфная диэлектрическая архитектура из SiO2 не проявляет усталости диполя. Он используется для блокировки постоянного тока, ВЧ-шунтирования и связи в плотных ВЧ- и силовых модулях. Доступны пользовательские значения емкости, шаги выводов и геометрии чипов.


Ключевые факты


Элемент Значение
Бренд Hoan
Модель HFC101S30V100
Категория МОП-конденсаторы
Емкость 100 пФ ±10% (на заказ от 10 пФ до 1000 пФ)
Номинальное напряжение постоянного тока 30 В
Диэлектрик Термический SiO2, параэлектрический (300 нм)
Выводы Медный столб микровывод / припой BGA
Размер чипа 0,50 x 0,50 x 0,15 мм
Рабочая температура -55 °C до +125 °C
Место происхождения Шэньси, Китай
Сертификация ISO 9001:2015, RoHS
Минимальный объем заказа 10 штук
Срок поставки 5-7 рабочих дней для наличия на складе, 3-4 недели для производства


Готов к BGA / микровыводам на уровне пластины


Устройство поставляется с металлизацией под выводами (UBM) на уровне пластины и медным столбом микровывода с припойным колпачком из SnAg, поэтому его можно напрямую устанавливать стандартными флип-чип монтажниками и обрабатывать в линиях упаковки на уровне пластины (WLP) и BGA-пайки. Каждый кристалл проходит электрическое тестирование на уровне пластины, а для отслеживаемости доступна цифровая карта пластины.

  • Медный столб микровывод с припойным колпачком из SnAg, шаг 80 мкм (доступен пользовательский шаг)
  • Совместимость с пайкой до пиковой температуры 260 °C; уровень влагочувствительности MSL 1
  • 100% электрическое тестирование на уровне пластины с цифровой картой пластины


Готов к флип-чип монтажу без проволочных выводов


Поскольку оба вывода расположены на одной стороне через симметричную металлизацию выводов, конденсатор может быть напрямую прикреплен к ламинатным, керамическим или кремниевым интерпозерам без золотых проволочных выводов. Удаление проволочных выводов устраняет межсоединение, которое обычно доминирует в индуктивности последовательности, а также устраняет режим отказа из-за усталости пятки проволочного вывода. Это подходит для конструкций, требующих коротких, повторяемых ВЧ-путей возврата и низкой, стабильной индуктивности межсоединений.

  • Золотые проволочные выводы не требуются
  • Собственная индуктивность ESL чипа6 ГГц
  • Совместимость с флип-чип монтажниками C4 и медными столбами


Применение


  • ВЧ-модули фронтальной части на уровне пластины и плитки фазированных антенных решеток
  • DC-блоки и ВЧ-связь методом флип-чип в гибридных микросхемах
  • Развязка сети смещения для ВЧ-усилителей мощности
  • Высокоплотное шунтирование в многокристальных модулях
  • Фронтальные части радиостанций 5G малого форм-фактора и радиорелейной связи
  • Фронтальные части измерительного и испытательного оборудования, требующие низкого, стабильного ESL


КМОП-конденсаторы BGA на уровне пластины 100 пФ 30 В, готовые к микровыводам, Flip-Chip, чип для сборки ВЧ без проводников