Condensatori MOS BGA a livello di wafer 100 pF 30V Micro-Bump Ready Flip-Chip Chip per assemblaggio RF senza filo di legame

Condensatore MOS BGA a livello di wafer HFC101S30V100 — 100 pF 30V pronto per flip-chip

In breve: L'HFC101S30V100 è un condensatore MOS monostrato da 100 pF, 30 V costruito su silicio float-zone ad alta resistività con un dielettrico di SiO2 cresciuto termicamente. Viene fornito con terminazione micro-bump (BGA) a livello di wafer per assemblaggio flip-chip, senza fili di bonding, e la sua architettura dielettrica in SiO2 amorfo non presenta affaticamento da dipolo. Viene utilizzato per blocco DC, bypass RF e accoppiamento in moduli RF e di potenza densi. Sono disponibili valori di capacità personalizzati, passi dei bump e geometrie dei chip.

Fatti chiave

Pronto per BGA / Micro-Bump a livello di wafer

Il dispositivo viene consegnato con metallizzazione sotto-bump (UBM) a livello di wafer e un micro-bump a pilastro di rame con un cappuccio di saldatura SnAg, in modo da poter essere posizionato direttamente da saldatrici flip-chip standard e processato in linee di packaging a livello di wafer (WLP) e reflow BGA. Ogni die riceve un test elettrico a livello di wafer e una mappa digitale del wafer è disponibile per la tracciabilità.

• Micro-bump a pilastro di rame con cappuccio di saldatura SnAg, passo 80 µm (passo personalizzato disponibile)
• Compatibile con reflow fino a 260 °C di picco; livello di sensibilità all'umidità MSL 1
• Test elettrico al 100% a livello di wafer con mappa digitale del wafer

Pronto per Flip-Chip per assemblaggio senza fili di bonding

Poiché entrambi i terminali sono posizionati su una faccia tramite metallizzazione simmetrica dei bump, il condensatore può essere collegato direttamente a interposer laminati, ceramici o in silicio senza fili di bonding in oro. La rimozione dei fili di bonding elimina l'interconnessione che normalmente domina l'induttanza serie e rimuove anche la modalità di guasto per affaticamento del tallone del filo di bonding. Questo è adatto per progetti che richiedono percorsi di ritorno RF corti e ripetibili e un'induttanza di interconnessione bassa e stabile.

• Non sono richiesti fili di bonding in oro
• ESL intrinseca del chip 6 GHz
• Compatibile con saldatrici flip-chip C4 e a pilastro di rame

Applicazioni

• Moduli front-end RF a livello di wafer e piastrelle beamformer a schiera fasata
• Blocchi DC flip-chip e accoppiamento RF in microcircuiti ibridi
• Disaccoppiamento della rete di bias per amplificatori di potenza RF
• Bypass ad alta densità in moduli multi-chip
• Front-end radio 5G small-cell e backhaul
• Front-end di test e misurazione che richiedono ESL bassa e stabile